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四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用
隨著技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對(duì)電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動(dòng)這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及人工智能 (AI)，服務(wù)器的需求也在呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。鑒于這些趨勢(shì)，設(shè)計(jì)人員面臨著一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)：如何在持續(xù)提升設(shè)計(jì)效率的同...
2024-03-21
氮化鎵 電子設(shè)計(jì) 中壓應(yīng)用
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華為、中芯國際亮相，大灣區(qū)迎來“新”風(fēng)潮！
如今，他們作為深圳市“20+8”產(chǎn)業(yè)相關(guān)展會(huì)，正致力于帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新要素集聚，助推深圳加快形成“新質(zhì)生產(chǎn)力”。2024年4月9日至11日，這個(gè)備受矚目的科技盛會(huì)再度拉開帷幕，屆時(shí)華為、TCL、中芯國際、聯(lián)發(fā)科、海信、潮州三環(huán)等知名企業(yè)都將集結(jié)亮相。
2024-03-21
華為 中芯國際
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電動(dòng)汽車無線電池管理革命已經(jīng)開始，投資回報(bào)潛力巨大
隨著電動(dòng)汽車電池組的壽命周期進(jìn)一步延長(zhǎng)，在從制造到服務(wù)再到退役的過程中，每個(gè)wBMS模塊都要維持嚴(yán)格安全協(xié)議的必要性越來越大。OEM必須始終保持電池模塊的完整性，如果無法獨(dú)立驗(yàn)證其安全狀態(tài)，模塊二次使用的價(jià)值就有被否定的風(fēng)險(xiǎn)。
2024-03-19
電動(dòng)汽車 無線電池管理
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雙脈沖測(cè)試（DPT）的方法解析
雙脈沖測(cè)試（DPT）是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
雙脈沖測(cè)試
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800V架構(gòu)下，給連接器帶來了哪些“改變”？
眾所周知，新能源汽車用連接器的作用主要是保證整車高壓互聯(lián)系統(tǒng)，即在內(nèi)部電路被阻斷或孤立不通處架起橋梁從而使電流流通，通過獨(dú)立或與線纜一起，為器件、組件、設(shè)備、子系統(tǒng)之間傳輸電流或光信號(hào)，并且保持各系統(tǒng)之間不發(fā)生信號(hào)失真和能量損失的變化，是構(gòu)成整個(gè)完整系統(tǒng)連接所必須的基礎(chǔ)元件。...
2024-03-13
架構(gòu) 連接器
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相...
2024-03-12
功率MOSFET UIS
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人工智能已悄然成為 RECOM工程師的最強(qiáng)大腦
乍一看，人工智能 (AI) 和電源設(shè)計(jì)似乎沒有太多共同之處。然而，RECOM 已經(jīng)在至少三個(gè)不同領(lǐng)域積極應(yīng)用人工智能技術(shù)，旨在提升我們的產(chǎn)品和服務(wù)質(zhì)量。請(qǐng)繼續(xù)閱讀，了解人工智能、電力和 RECOM 如何變得密不可分。
2024-03-06
人工智能 電源設(shè)計(jì)
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使用大面積分析提升半導(dǎo)體制造的良率
設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 技術(shù)用于芯片設(shè)計(jì)，可確保以較高的良率制造出所需器件。設(shè)計(jì)規(guī)則通常根據(jù)所使用設(shè)備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設(shè)計(jì)符合制造要求，且不會(huì)導(dǎo)致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過程中出現(xiàn)短路、斷路、...
2024-03-05
半導(dǎo)體制造 芯片
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-03-04
功率MOSFET 雪崩效應(yīng)
- 挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設(shè)計(jì)的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)
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