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AI&IoT

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響

在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。

2022-06-15

SiC MOSFET 門極電壓

適合工業(yè)應(yīng)用的魯棒SPI/I2C通信

對于控制器和外設(shè)之間的短距離電路板內(nèi)連接，串行外設(shè)接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實(shí)上的通信標(biāo)準(zhǔn)。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當(dāng)控制器和外設(shè)位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠(yuǎn)（不大于1米）時...

2022-06-14

工業(yè)應(yīng)用 SPI ADI

手機(jī)無線充電器壞了

對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機(jī)無線充電器進(jìn)行拆卸，觀察其內(nèi)部電路工藝設(shè)計。但是由于電路上主要芯片型號文字顯示不清，故此對于其主要工作原理尚不清楚。

2022-06-14

手機(jī) 無線充電器

電解電容

在博文基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。

2022-06-14

電解電容光耦振蕩電路

電解電容

2022-06-14

電解電容光耦振蕩電路

電解電容

2022-06-14

電解電容光耦振蕩電路

功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度

功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實(shí)現(xiàn)方法是：

2022-06-13

功率器件功率密度

25kW SiC直流快充設(shè)計指南(第五部分)：控制算法、調(diào)制方案和反饋

在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。

2022-06-13

直流快充設(shè)計指南控制算法

貿(mào)澤電子榮獲知名互連廠商Hirose頒發(fā)的年度分銷商大獎

2022年6月10日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布榮獲創(chuàng)新連接器解決方案知名設(shè)計和制造商Hirose Electric USA頒發(fā)的2021年度分銷商大獎。這個年度分銷商獎旨在表彰在銷售額和增長率，以及客戶服務(wù)和滿意度方面表現(xiàn)突出的分銷商。

2022-06-10

貿(mào)澤電子 Hirose 連接器