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IBIS建?！?部分：為何以及如何創(chuàng)建您自己的IBIS模型
本文提供有關(guān)在創(chuàng)建IBIS模型時如何使用LTspice?的說明指南，涵蓋從IBIS預建模程序到IBIS模型驗證的整個過程。本文還詳細介紹如何在LTspice中為IBIS模型準確提取I-V、V-T、斜坡和C_comp數(shù)據(jù)。此外，還提供定性和定量FOM方法，用于驗證IBIS模型的性能。該應用案例展示了為假設(shè)的ADxxxx三態(tài)數(shù)字緩沖器...
2022-05-31
IBIS模型 ADI LTspice
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LDO基礎(chǔ)知識：噪聲 - 降噪引腳如何提高系統(tǒng)性能
使用低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 來過濾開關(guān)模式電源產(chǎn)生的紋波電壓并不是實現(xiàn)清潔直流電源的唯一考慮因素。由于 LDO 是電子器件，因此它們會自行產(chǎn)生一定量的噪聲。選擇低噪聲 LDO 并采取措施來降低內(nèi)部噪聲對于生成不會影響系統(tǒng)性能的清潔電源軌而言不可或缺。
2022-05-27
LDO 噪聲-降噪 系統(tǒng)性能
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為何IBIS建模對設(shè)計成功至關(guān)重要
IBIS表示輸入/輸出緩沖器信息規(guī)格，它代表了IC供應商提供給客戶進行高速設(shè)計仿真的器件的數(shù)字引腳的特性或行為。這些模型使用IBIS開放論壇——負責管理和更新IBIS模型規(guī)范與標準的行業(yè)組織——所規(guī)定的參數(shù)模仿器件的I/O行為。IBIS模型使用ASCII文本文件格式，提供表格化的電壓-電流和電壓-時間信息。它...
2022-05-27
IBIS建模 IC設(shè)計 ADI
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貿(mào)澤在線服務與工具以及幫助中心助你輕松找到所需資源
2022年5月26日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 提供了大量聚焦客戶需求的在線工具，幫助客戶簡化及優(yōu)化選擇與采購流程。貿(mào)澤的服務與工具頁面以及幫助中心可以幫助客戶輕松瀏覽、選擇和購買產(chǎn)品，不僅讓客戶能夠查看和跟蹤訂單、請...
2022-05-26
貿(mào)澤 在線服務
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不斷升級的USB-C接口：你對它的保護升級了嗎?
盤點一下我們身邊電子設(shè)備外殼上各式各樣的接口，你可能會發(fā)現(xiàn)，它們的種類和數(shù)量正在減少。但與此同時有一個接口上鏡的機會卻越來越多，這個接口就是USB Type-C（以下簡稱USB-C）。
2022-05-26
USB-C 接口保護
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Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫
在IGBT應用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個參數(shù)，大部分讀者應該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？
2022-05-25
IGBT 元宇宙 結(jié)溫
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淺析基于量子成像的下一代甚高靈敏度圖像傳感器技術(shù)
高靈敏度探測成像是空間遙感應用中的一個重要技術(shù)領(lǐng)域，如全天時對地觀測、空間暗弱目標跟蹤識別等應用，對于甚高靈敏度圖像傳感器的需求日益強烈。隨著固態(tài)圖像傳感器技術(shù)水平的不斷提高，尤其背照式及埋溝道等工藝的突破，使得固態(tài)圖像傳感器的靈敏度有了極大提升。
2022-05-25
量子成像 圖像傳感器 技術(shù)
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理想的DC-DC降壓電源模塊：這才是它該有的樣子！
在當今電子系統(tǒng)中，電源管理器件承擔著重要的作用，大多數(shù)情況下，它們的工作就是將來自電源的電能——無論是交流還是直流——通過一系列的轉(zhuǎn)換，調(diào)節(jié)為各種性能良好的低壓直流電源軌，供系統(tǒng)中的每一個用電負載使用。在這個過程中，少不了DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的身影，它們輸入電壓范圍較寬、效率高、封裝小...
2022-05-24
DC-DC 降壓電源 模塊
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實例測試解讀，典型音頻系統(tǒng)中FIR和IIR濾波器硬件加速器的使用
有限脈沖響應(FIR)和無限脈沖響應(IIR)濾波器都是常用的數(shù)字信號處理算法——尤其適用于音頻處理應用。因此，在典型的音頻系統(tǒng)中，處理器內(nèi)核的很大一部分時間用于FIR和IIR濾波。數(shù)字信號處理器上的片內(nèi)FIR和IIR硬件加速器也分別稱為FIRA和IIRA，我們可以利用這些硬件加速器來分擔FIR和IIR處理任務，...
2022-05-23
音頻系統(tǒng) FIR 濾波器
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓撲結(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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