-
Arm SystemReady創(chuàng)下新里程 為數(shù)據(jù)中心夯實創(chuàng)新根基
Arm? 近日發(fā)布自 Arm SystemReadyTM 推出 18 個月以來，獲得產業(yè)廣泛合作伙伴的支持，并已頒布超過 50 張認證，其中Microsoft? Azure? 基于Arm架構的 Ampere? Altra? 處理器的服務器獲得 SystemReady SR 認證，成為首個獲得認證的云服務提供商服務器，其搭載Arm架構的Ampere Altra 處理器的Azure虛...
2022-06-21
Arm SystemReady 數(shù)據(jù)中心
-
MEMS壓力傳感器解決人機界面新痛點
2021 年 5 月，Qorvo 宣布了收購 NextInput 公司，作為其傳感器融合產品線的首次收購，Qorvo 對于 NextInput 在改善人機交互（HMI）市場的創(chuàng)新給予了厚望。同時，也意味著 Qorvo 除了在 RF MEMS 之外，也擁有了 MEMS 壓力傳感器的技術積累。
2022-06-21
MEMS 壓力傳感器 人機界面
-
具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。
2022-06-21
穩(wěn)定性 CoolSiC MOSFET
-
安森美向前推進可持續(xù)發(fā)展
2022年6月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，發(fā)布其年度可持續(xù)發(fā)展報告，前稱企業(yè)社會責任（CSR）報告。為了持續(xù)努力保持我們對投資者、客戶、利益相關者和員工的透明度，該報告根據(jù)全球報告倡議組織（GRI）、氣候相關的財務披露工作組（TCFD）和可持...
2022-06-20
安森美 可持續(xù)發(fā)展
-
Digi-Key在2022年EDS領導力峰會上被供應商授予了25項大獎
全球供應品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布在 5 月 10 日至 13 日于拉斯維加斯舉行的 2022 EDS 領導力峰會上獲得了供應商授予的 25 項大獎。這是對 Digi-Key 在過去一年中的銷售業(yè)績、客戶服務、產品廣度、數(shù)字存在等方面成績的認可。
2022-06-20
Digi-Key EDS領導力峰會
-
面對電磁輻射干擾，如何輕松進行電子線路設計布局？
電磁環(huán)境包含輻射和傳導能量。EMC也包含輻射和敏感度兩方面。輻射是指產品不必要地產生電磁能量。為了打造一種具備電磁兼容性的環(huán)境，通常需要控制輻射。敏感度是一種用于衡量電子產品容忍其他電磁產品的輻射，或傳導電磁能量影響或其他電磁影響的能力指標?？箶_度與敏感度相反。敏感度高的設備抗擾...
2022-06-20
電磁干擾 電子線路 設計布局
-
貿澤推出2022 Empowering Innovation Together系列第三期探索打造安全設計的重要性
2022年6月17日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出其備受好評的Empowering Innovation Together?計劃的新一期內容。在“實現(xiàn)更高安全性的設計”這一期，貿澤探討了在設計過程中的每個階段融入安全性的重要性，從架構選擇和組件挑...
2022-06-17
貿澤電子 安全設計
-
凌華科技發(fā)布AES-100 邊緣智能服務器
中國上海 – 2022年6月16日，全球領先的邊緣計算解決方案提供商—凌華科技推出基于華為Ascend Atlas200的全新邊緣智能服務器AES-100，突破固有服務器的設計理念，采用分布式AI節(jié)點加彈性靈活的處理器設計方案，可在緊湊的1U空間內布置多路邊緣處理單元，也可以根據(jù)場景和需求不同搭配不同的CPU模塊，...
2022-06-16
凌華科技 AES-100 服務器
-
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 集成化柵極驅動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
- 多通道同步驅動技術中的死區(qū)時間納米級調控是如何具體實現(xiàn)的？
- 電壓放大器：定義、原理與技術應用全景解析
- 減排新突破！意法半導體新加坡工廠冷卻系統(tǒng)升級，護航可持續(xù)發(fā)展
- 低排放革命！貿澤EIT系列聚焦可持續(xù)技術突破
- 優(yōu)化儀表放大器的設計提升復雜電磁環(huán)境中的抗干擾能力
- 連偶科技攜“中國IP+AIGC+空間計算”三大黑科技首秀西部電博會！
- 儀表放大器如何驅動物聯(lián)網終端智能感知？
- 儀表放大器如何成為精密測量的幕后英雄？
- 精密信號鏈技術解析：從原理到高精度系統(tǒng)設計
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
