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技術(shù)文章

第5講：SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。

2024-09-12

SiC 晶體缺陷

如何正確使用二極管

二極管和晶體管都是如此，它們由二極管 P 和 N 材料制成。二極管類別包括兩個(gè)可能對(duì)控制工程師很重要的例子：硅二極管和 LED。

2024-09-12

二極管

艾邁斯歐司朗亮相2024 CIOE，多款創(chuàng)新產(chǎn)品引領(lǐng)光電新潮

全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，將攜傳感、光源和可視化領(lǐng)域最新產(chǎn)品和技術(shù)組合，亮相第二十五屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)（CIOE）。作為新質(zhì)生產(chǎn)力的代表，光電技術(shù)正高效賦能千百行業(yè)，不僅重塑傳統(tǒng)制造業(yè)，推動(dòng)智能制造與工業(yè)自動(dòng)化邁向新高度，更...

2024-09-12

艾邁斯歐司朗光電

半導(dǎo)體后端工藝第十一篇（完結(jié)篇）：半導(dǎo)體封裝的可靠性測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)

本系列文章詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體后端工藝，涵蓋了從不同類型的半導(dǎo)體封裝、封裝工藝及材料等各個(gè)方面。作為本系列的收篇之作，本文將介紹半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)。除了詳細(xì)介紹如何評(píng)估和制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)以外，還將介紹針對(duì)半導(dǎo)體封裝預(yù)期壽命、半導(dǎo)體封裝在不同外部環(huán)境中的可靠性，及機(jī)械可靠性等評(píng)估...

2024-09-12

半導(dǎo)體后端工藝封裝

充電器基礎(chǔ)知識(shí)以及電量計(jì)分區(qū)為何如此重要

電池充電系統(tǒng)的關(guān)鍵組件是充電器本身和電量計(jì)，電量計(jì)可電池充電狀態(tài) (SOC)、電量耗盡時(shí)間和充滿電時(shí)間等指標(biāo)。電量計(jì)可在主機(jī)端或電池組中實(shí)現(xiàn)（見(jiàn)圖 1）。

2024-09-11

充電器電量計(jì)分區(qū)

為什么存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能對(duì)AI工作負(fù)載至關(guān)重要？

數(shù)據(jù)是各種現(xiàn)代企業(yè)的生命線，而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、訪問(wèn)與管理策略對(duì)企業(yè)的生產(chǎn)力、盈利能力以及競(jìng)爭(zhēng)力會(huì)產(chǎn)生顯著影響。隨著人工智能（AI）的興起，各行各業(yè)都在經(jīng)歷變革，企業(yè)不得不重新思考如何利用數(shù)據(jù)來(lái)加速創(chuàng)新和增長(zhǎng)。然而，AI訓(xùn)練和推理對(duì)數(shù)據(jù)管理和存儲(chǔ)提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗鼈冃枰幚睚嫶蟮臄?shù)...

2024-09-11

存儲(chǔ)系統(tǒng) AI 工作負(fù)載

第4講：SiC的物理特性

SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見(jiàn)表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...

2024-09-11

SiC