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第8講:SiC外延生長技術
SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一,外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積(CVD),本文簡要介紹其生產過程及注意事項。
2024-11-04
SiC 外延生長技術
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二極管的單向導電性和伏安特性曲線說明
二極管的正、反向特性與生活中的開門類似:當你從室外推門(門是室內開的)時,如果力很小,門是推不開的,只有力氣較大時,門才能被推開,這與二極管加正向電壓,只有達到門電壓才能導通相似;當你從室內往外推門時,是很難推開的,但如果推門的力氣非常大,門也會被推開,不過門被開的同時一般也就損壞...
2024-11-04
二極管 向導電性 伏安特性
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如何使用GaNFET設計四開關降壓-升壓DC-DC轉換器?
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術,有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。
2024-11-04
GaNFET DC-DC轉換器 降壓 升壓
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優(yōu)化SPI驅動程序的幾種不同方法
隨著技術的進步,低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和邊緣/云計算需要更精確的數(shù)據(jù)傳輸。圖1展示的無線監(jiān)測系統(tǒng)是一個帶有24位模數(shù)轉換器(ADC)的高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。在此我們通常會遇到這樣一個問題,即微控制單元(MCU)能否為數(shù)據(jù)轉換器提供高速的串行接口。
2024-11-01
SPI驅動程序
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匯聚智造大咖,共探智能工業(yè)未來 AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024亮點全揭秘!
倒計時兩天!備受矚目的AMTS & AHTE South China 2024即將于2024年11月6日在深圳國際會展中心(寶安新館)盛大開幕!為期三天,六展聯(lián)袂,3,500+展商,140,000㎡面積,15萬+觀眾,邀您一同解鎖這場華南地區(qū)汽車技術、工程及工業(yè)裝配行業(yè)盛宴!
2024-11-01
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DigiKey 2024 年第三季度新增 139 家供應商和 611,000 多種創(chuàng)新產品,擴展了新產品陣容
全面現(xiàn)貨供應、提供快速交付的全球電子元器件和自動化產品分銷商?DigiKey?日前很高興地宣布,在 2024 年第三季度增加上百家供應商合作伙伴并推出數(shù)十萬種新產品,具體包括 139 家供應商和 611,000 多種創(chuàng)新產品,涵蓋其核心業(yè)務、市場和?DigiKey 代發(fā)項目。
2024-11-01
DigiKey 產品陣容 供應商
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時刻關注“得捷時刻”直播活動,DigiKey 將在electronica 2024展示新產品,并贈送精美禮品
全面現(xiàn)貨供應、提供快速交付的全球電子元器件和自動化產品分銷商 DigiKey 將參加 2024 年 11 月 12 日至 15 日在德國慕尼黑舉辦的 electronica 電子展,誠邀各位參會者蒞臨 B4 展廳 578 號展位參觀交流。DigiKey 將在展會上重DigiKey 將在展會上重點推介領先廠商的高端產品,展示多項技術和工具,并...
2024-11-01
DigiKey 高端產品
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
- 集成化柵極驅動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
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- Position / Current Sensors - Triaxis Hall