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示波器并非千篇一律:ADC 和低本底噪聲為何至關(guān)重要
在工程領(lǐng)域,精度是核心要素。無(wú)論是對(duì)先進(jìn)電子設(shè)備執(zhí)行質(zhì)量和性能檢測(cè),還是對(duì)復(fù)雜系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)試,測(cè)量精度的高低都直接關(guān)系到項(xiàng)目的成功與否。這時(shí),示波器中的垂直精度概念就顯得尤為重要,它衡量的是電壓與實(shí)際被測(cè)信號(hào)電壓之間的一致性。而要實(shí)現(xiàn)高垂直精度,關(guān)鍵在于兩個(gè)因素:一是模數(shù)轉(zhuǎn)換器 ...
2024-10-27
示波器 ADC 噪聲
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采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案
鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用,以減少碳排放對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中,風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色,并已處于領(lǐng)先地位。在過(guò)去的20年中,風(fēng)力渦輪機(jī)的尺寸已擴(kuò)大三倍,其發(fā)電功率大幅提升,不久后將突破15MW的大關(guān)。因此,先進(jìn)風(fēng)能變流器的需求在不斷...
2024-10-27
IGBT5.XT技術(shù) PrimePACK 風(fēng)能變流器
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三極管電路輸入電壓阻抗
利用三極管,?搭建單管共射反向放大器,?放大器的增益與多個(gè)因素有關(guān)系,也和輸入阻抗成反比。如何來(lái)測(cè)量單管運(yùn)放的輸入阻抗呢? 下面在 LTspice中通過(guò)仿真進(jìn)行測(cè)量。
2024-10-27
三極管電路 輸入電壓 阻抗
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晶振怎么用,你真的知道嗎?
晶振應(yīng)該是陪伴我們最多而我們卻并非那么熟悉的元器件之一,其頻率對(duì)于電路的運(yùn)作很重要,今天我們?cè)敿?xì)介紹晶振的諧振頻率調(diào)整與常見應(yīng)用。
2024-10-27
晶振
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如何在設(shè)計(jì)中輕松搭載GaN器件?答案內(nèi)詳~~
如今,圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn),第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求,被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅(Si)器件性能天花板的必由之路。
2024-10-27
GaN器件
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利用自動(dòng)化技術(shù)賦能中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化
許多中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施和運(yùn)營(yíng)(I&O)領(lǐng)導(dǎo)者在實(shí)施基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化項(xiàng)目時(shí),希望利用自動(dòng)化技術(shù)來(lái)簡(jiǎn)化和加快IT基礎(chǔ)設(shè)施資源的配置、管理和擴(kuò)展。但是,中國(guó)企業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)往往各自為政,而技術(shù)專家又傾向于將自動(dòng)化僅僅視為現(xiàn)有技術(shù)的延伸,導(dǎo)致自動(dòng)化優(yōu)先任務(wù)之間的相互競(jìng)爭(zhēng),各團(tuán)隊(duì)間的協(xié)作受到限制,削弱...
2024-10-27
自動(dòng)化技術(shù) 基礎(chǔ)設(shè)施 Gartner
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羅德與施瓦茨中標(biāo)中國(guó)移動(dòng)RedCap以及Cat1bis一致性測(cè)試系統(tǒng)項(xiàng)目
對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品而言,Cat1bis(單天線Cat1)以其極端簡(jiǎn)化的特性定義面向廣大低復(fù)雜度以及時(shí)延不敏感的應(yīng)用。而RedCap對(duì)標(biāo)準(zhǔn)5G技術(shù)進(jìn)行一定程度的裁剪從而面向較低復(fù)雜度和功耗要求的中高端物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。
2024-10-27
羅德與施瓦茨 中標(biāo) 中國(guó)移動(dòng) 標(biāo)準(zhǔn) 5G 測(cè)試系統(tǒng)
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的?
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