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如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？

在開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中使用氮化鎵（GaN）技術(shù)時(shí)，盡管其在高功率密度、高頻開(kāi)關(guān)和低功耗方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，但也面臨一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。

2025-06-12

不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？

氮化鎵（GaN）器件因其高開(kāi)關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗的特性，正在快速滲透消費(fèi)電子、汽車(chē)電驅(qū)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。然而，不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)GaN器件的需求呈現(xiàn)顯著差異：例如快充領(lǐng)域的LLC諧振拓?fù)湫枰哳l率下的電磁干擾控制，而車(chē)載雙向逆變器更關(guān)注動(dòng)態(tài)電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓?fù)?、雙向逆變拓?fù)洹⒍嚯娖酵負(fù)浼捌?chē)主驅(qū)模塊中的氮化鎵技術(shù)痛點(diǎn)，揭示材料特性與系統(tǒng)設(shè)計(jì)間的矛盾性關(guān)系。

2025-06-12

集成化柵極驅(qū)動(dòng)IC對(duì)多電平拓?fù)潆妷壕獾钠平饴窂?/a>

多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？

在電力電子系統(tǒng)中，多通道同步驅(qū)動(dòng)的死區(qū)時(shí)間直接影響系統(tǒng)效率和安全性。傳統(tǒng)方案常面臨時(shí)序誤差累積（±10ns以上）、開(kāi)關(guān)損耗高（占系統(tǒng)總損耗15%-25%）和模式切換不靈活等痛點(diǎn)。納米級(jí)死區(qū)調(diào)控技術(shù)通過(guò)硬件架構(gòu)革新與智能算法協(xié)同，將控制精度提升至亞納秒級(jí)，為新能源汽車(chē)、高頻電源等場(chǎng)景提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。本文將深入解析其實(shí)現(xiàn)路徑與產(chǎn)業(yè)突破方向。

2025-06-12

高頻時(shí)代的電源革命：GaN技術(shù)如何顛覆傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)電源架構(gòu)？

在電力電子系統(tǒng)對(duì)能效和功率密度要求日益嚴(yán)苛的背景下，氮化鎵（GaN）技術(shù)已成為推動(dòng)開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）發(fā)展的核心動(dòng)力。相較于傳統(tǒng)硅基器件，GaN憑借其3.4eV的寬禁帶特性、更高的電子遷移率（990-2000 cm2/V·s）及更低的導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)），可將開(kāi)關(guān)頻率提升至兆赫級(jí)，同時(shí)減少30%以上的能量損耗。然而，其實(shí)際應(yīng)用中仍面臨驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、熱管理、電磁兼容性等挑戰(zhàn)。以半橋降壓轉(zhuǎn)換器為例，GaN開(kāi)關(guān)的柵極電壓耐受值更低（通常<6V），且快速切換（dV/dt達(dá)100V/ns）易引發(fā)寄生振蕩和電磁干擾（EMI），這對(duì)電路布局和驅(qū)動(dòng)控制提出了更高要求。

2025-06-11

車(chē)輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢(shì)篇

向軟件定義汽車(chē) (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車(chē)制造商不斷創(chuàng)新，在區(qū)域控制器中集成受保護(hù)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。電子保險(xiǎn)絲和 SmartFET 可為負(fù)載、傳感器和執(zhí)行器提供保護(hù)，從而提高功能安全性，更好地應(yīng)對(duì)功能故障情況。不同于傳統(tǒng)的域架構(gòu)，區(qū)域控制架構(gòu)采用集中控制和計(jì)算的方式，將分散在各個(gè) ECU 上的軟件統(tǒng)一交由強(qiáng)大的中央計(jì)算機(jī)處理，從而為下游的電子控制和配電提供了更高的靈活性。

2025-06-05

如何通過(guò) LLC 串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器優(yōu)化LLC-SRC設(shè)計(jì)？

十幾年來(lái)，電源行業(yè)廣泛采用了圖 1 中所示的電感器-電感器-電容器 (LLC) 串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器 (LLC-SRC) 作為低成本、高效率的隔離式功率級(jí)，其中包含兩個(gè)諧振電感器（兩個(gè)“L”：Lm 和 Lr）和一個(gè)諧振電容器（一個(gè)“C”：Cr）。LLC-SRC 器件具有軟開(kāi)關(guān)特性，沒(méi)有復(fù)雜的控制方案。得益于軟開(kāi)關(guān)特性，該器件支持使用額定電壓較低的元件，并可提高效率。該器件采用簡(jiǎn)單的控制方案，即具有 50% 固定占空比的變頻調(diào)制方案，與相移全橋轉(zhuǎn)換器等用于其他軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞目刂破飨啾?，所需的控制器成本更低?/p>

2025-05-21

工程師必看！從驅(qū)動(dòng)到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)手冊(cè)

MOSFET因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、智能手機(jī)及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在三個(gè)方面：驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，所需驅(qū)動(dòng)電流遠(yuǎn)低于BJT，可直接由CMOS或集電極開(kāi)路TTL電路驅(qū)動(dòng)；開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異，無(wú)電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，支持高速工作；熱穩(wěn)定性強(qiáng)，無(wú)二次擊穿風(fēng)險(xiǎn)，高溫環(huán)境下性能表現(xiàn)更穩(wěn)定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為突出。

2025-05-15

功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現(xiàn)單片集成雙向開(kāi)關(guān)

氮化鎵（GaN）單片雙向開(kāi)關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動(dòng)導(dǎo)通，反向電流需依賴(lài)體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動(dòng)式反向?qū)ú粌H缺乏門(mén)極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實(shí)現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對(duì)背（B2B）拓?fù)浼?jí)聯(lián)兩個(gè)器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復(fù)雜度。

2025-05-11

雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)如何確保晶體管性能可比較性

在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，為確保電源晶體管的性能評(píng)估準(zhǔn)確性，選擇合適的器件至關(guān)重要。理想情況下，功率半導(dǎo)體供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)表應(yīng)包含一致且可比較的動(dòng)態(tài)參數(shù)。然而，在實(shí)際操作中，尤其是針對(duì)表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試，實(shí)現(xiàn)使寄生蟲(chóng)保持較小且從系統(tǒng)之間保持一致的挑戰(zhàn)。本文聚焦于設(shè)計(jì)一套標(biāo)準(zhǔn)化的雙脈沖測(cè)試（DPT）系統(tǒng)，旨在實(shí)現(xiàn)不同測(cè)試系統(tǒng)間動(dòng)態(tài)特性結(jié)果的可關(guān)聯(lián)性。文中詳細(xì)闡述了在設(shè)計(jì)此類(lèi)系統(tǒng)時(shí)需考慮的關(guān)鍵因素，包括如何最小化寄生參數(shù)影響及確保系統(tǒng)間測(cè)試條件的一致性。

2025-05-10

能效升級(jí)新引擎！拆解IGBT的三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)

在消費(fèi)電子市場(chǎng)高速發(fā)展的當(dāng)下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現(xiàn)代家電設(shè)備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術(shù)正持續(xù)推動(dòng)家電產(chǎn)品能效升級(jí)。安世半導(dǎo)體推出的650 V G3 IGBT平臺(tái)產(chǎn)品，通過(guò)性能優(yōu)化與可靠性提升，為家電設(shè)備的高效化、節(jié)能化發(fā)展提供了關(guān)鍵解決方案。

2025-05-07

碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開(kāi)篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓?fù)浼軜?gòu)，更對(duì)關(guān)鍵電參數(shù)、獨(dú)特性能優(yōu)勢(shì)及設(shè)計(jì)支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實(shí)踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。

2025-04-08