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微特電機(jī) 變生產(chǎn)大國(guó)為技術(shù)強(qiáng)國(guó)
近幾年，我國(guó)微特電機(jī)行業(yè)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，尤其在長(zhǎng)江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經(jīng)形成我國(guó)微特電機(jī)的重要生產(chǎn)基地和出口基地。我國(guó)已經(jīng)成為世界微特電機(jī)的生產(chǎn)大國(guó)。
2008-09-18
微特電機(jī)
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優(yōu)化變換器的FET開關(guān)以改善能量效率
現(xiàn)在越來(lái)越多的設(shè)計(jì)師在關(guān)注DC/DC功率系統(tǒng)的效率問(wèn)題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍?zhǔn)?，而通過(guò)采用先進(jìn)的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過(guò)兩種方式來(lái)優(yōu)化工藝的發(fā)展。首先，為了改善產(chǎn)品的開關(guān)特性（開關(guān)速度），他們實(shí)施了先進(jìn)的柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，降低了柵極電荷（Q...
2008-09-18
MOSFET 開關(guān)和傳導(dǎo)損耗 系統(tǒng)級(jí)效率 開關(guān)特性 單元密度
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電子變壓器發(fā)展方向 微型化發(fā)展
電子變壓器行業(yè)為適應(yīng)市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)和配套的需求，近幾年，經(jīng)營(yíng)機(jī)制有了較大的轉(zhuǎn)變。行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，民營(yíng)企業(yè)已占電子變壓器行業(yè)的50%左右。目前我國(guó)電子變壓器市場(chǎng)基本處于穩(wěn)定狀態(tài)，由于電子變壓器屬于勞動(dòng)密集型產(chǎn)品，我國(guó)勞動(dòng)力成本比較低廉，行業(yè)沒(méi)有受到較大沖擊，出口方面反而有了進(jìn)一步...
2008-09-17
電子變壓器 壓電陶瓷變壓器
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電子變壓器發(fā)展方向 微型化發(fā)展
電子變壓器行業(yè)為適應(yīng)市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)和配套的需求，近幾年，經(jīng)營(yíng)機(jī)制有了較大的轉(zhuǎn)變。行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，民營(yíng)企業(yè)已占電子變壓器行業(yè)的50%左右。目前我國(guó)電子變壓器市場(chǎng)基本處于穩(wěn)定狀態(tài)，由于電子變壓器屬于勞動(dòng)密集型產(chǎn)品，我國(guó)勞動(dòng)力成本比較低廉，行業(yè)沒(méi)有受到較大沖擊，出口方面反而有了進(jìn)一步...
2008-09-17
電子變壓器 壓電陶瓷變壓器
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電子變壓器發(fā)展方向 微型化發(fā)展
電子變壓器行業(yè)為適應(yīng)市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)和配套的需求，近幾年，經(jīng)營(yíng)機(jī)制有了較大的轉(zhuǎn)變。行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，民營(yíng)企業(yè)已占電子變壓器行業(yè)的50%左右。目前我國(guó)電子變壓器市場(chǎng)基本處于穩(wěn)定狀態(tài)，由于電子變壓器屬于勞動(dòng)密集型產(chǎn)品，我國(guó)勞動(dòng)力成本比較低廉，行業(yè)沒(méi)有受到較大沖擊，出口方面反而有了進(jìn)一步...
2008-09-17
電子變壓器 壓電陶瓷變壓器
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SuperMESH3系列： ST照明和開關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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SuperMESH3系列： ST照明和開關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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