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SuperMESH3系列： ST照明和開關電源應用功率MOSFET
意法半導體（ST）進一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創(chuàng)新技術，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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SuperMESH3系列： ST照明和開關電源應用功率MOSFET
意法半導體（ST）進一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創(chuàng)新技術，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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我國遭美"337調查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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我國遭美"337調查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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我國遭美"337調查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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LY530AL：ST超小型GPS應用MEMS陀螺儀
通過提供可選的模擬或數字角速率絕對值輸出，意法半導體推出LY530AL MEMS陀螺儀，提高設計靈活性，簡化集成難度，并節(jié)省外部元器件。全程量可測角速率高達每秒+/-300度，在直觀人機界面或增強型汽車導航GPS等應用中，意法半導體的全新陀螺儀可測量快速角位移。
2008-09-12
LY530AL MEMS陀螺儀
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中能打破多晶硅技術壟斷 成中國硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國證券交易委員會(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業(yè)務主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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