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測試測量

差分信號線布線的優(yōu)點和布線策略

布線非常靠近的差分信號對相互之間也會互相緊密耦合，這種互相之間的耦合會減小EMI發(fā)射，差分信號線的主要缺點是增加了PCB的面積，本文介紹電路板設(shè)計過程中采用差分信號線布線的布線策略。

2010-06-23

差分信號線布線 PCB 高速設(shè)計

多晶硅錠制造技術(shù)

用于制造太陽能硅片的多晶硅錠的生長是一個相當復雜的工藝。硅錠生長工藝的目標在于優(yōu)化硅錠合格率.因此生長工藝需要進行嚴格監(jiān)控，并需對定向凝固爐在結(jié)晶工藝期間的無數(shù)種變量加以有效控制。本文簡述多晶硅錠的制造技術(shù)

2010-06-23

多晶硅錠凝固工藝線切割凝固爐

新材料對測量技術(shù)的挑戰(zhàn)

在談及芯片技術(shù)進步時，除了不斷縮小的技術(shù)節(jié)點，新材料的采用往往可以另辟蹊徑。目前談?wù)撦^多的是高k介質(zhì)、金屬柵、低k材料等，其它一些較為冷門的材料，如碳納米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也開始進入人們的視野。越是新興的物質(zhì)越難以捉摸和測量，這就要求測量技術(shù)能夠“與時俱進”。本文對新材料...

2010-06-23

新材料測量技術(shù) 3D集成硅通孔技術(shù)

日置即將推出最新IM3570阻抗分析儀

即將發(fā)售的阻抗分析儀IM3570是測量頻率4Hz~5MHz，測試電平5mV~5V的LCR電橋與阻抗分析儀合二為一的儀器。因為對應不同測量條件都能高速連續(xù)測量，所以在需要使用眾多儀器檢查的生產(chǎn)線上，僅IM3570一臺便可實現(xiàn)。

2010-06-23

日置 IM3570 阻抗分析儀

半導體制造晶圓檢測技術(shù)分析

半導體制造業(yè)廣泛采用了晶圓自動檢測方法在制造過程中檢測缺陷，以緩解工況偏差和減低總?cè)毕菝芏取１疚慕榻B晶圓檢測方法進展，有效方式識別與良率相關(guān)的缺陷。

2010-06-22

晶圓檢測缺陷檢測在線晶圓檢測

通孔刻蝕工藝的檢測技術(shù)研究

隨著半導體制造技術(shù)推進到更加先進的深亞微米技術(shù)，半導體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發(fā)展到512M時，設(shè)計規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...

2010-06-22

通孔刻蝕工藝檢測技術(shù) 晶體管

射頻封裝系統(tǒng)

在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術(shù)制作而成，例如BBIC采用CMOS技術(shù)、收發(fā)機采用SiGe和BiCMOS技術(shù)、RF開關(guān)采用GaAs技術(shù)等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術(shù)的限制，因此不能有效利用上述各項技術(shù)的優(yōu)勢。系統(tǒng)級封裝(SiP)可以對各種不同技術(shù)的不同電、熱和...

2010-06-22

射頻封裝系統(tǒng) ASIC BBIC

原子層淀積技術(shù)

ALD技術(shù)的獨特性決定了其在半導體工業(yè)中的運用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學極限，同時高縱寬比在器件結(jié)構(gòu)中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術(shù)很難滿足需求，ALD技術(shù)已充分顯示了其優(yōu)勢，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...

2010-06-22

原子層淀積 ALD MOCVD PVD