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前端電源設(shè)備接口電路設(shè)計
Microsemi公司宣布其新的先進的前端電源設(shè)備(PD)接口控制器(IC),應(yīng)用于高功率HDB ASE-T和四對電源的以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用程序。
2013-01-11
電源設(shè)備 接口電路 設(shè)計
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保護高速數(shù)據(jù)線敏感芯片組免受任何外部ESD破壞的TVS產(chǎn)品
遠(yuǎn)比任何同類競爭設(shè)備更低的箝位電壓,可保護高速數(shù)據(jù)線的敏感芯片組免受任何外部ESD(靜電放電)的破壞,超低電容(0.5pF),在提供強大ESD保護的同時將信號損失降到最低并維持系統(tǒng)性能,如此多的性能優(yōu)點集中到一款產(chǎn)品上,確實讓人驚嘆。一起了解一下新型低電容ESD保護TVS產(chǎn)品SP3012-06UTG。
2013-01-11
TVS USB3.0 HDMI接口 低電容ESD保護
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如何避免可控硅在其使用中出現(xiàn)過載等問題
目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅,它具有過載和抗干擾能力差,且在控制大電感負(fù)載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點,下面我們來談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。
2013-01-10
可控硅 過載
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一種可控硅音源切換電路設(shè)計
本文介紹一種可控硅音源切換電路,不使用集成電路,不占用繼電器的觸點,線路簡單,擴展容易的特點。
2013-01-10
可控硅 音源切換
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一種采用霍耳元件作為傳感器的可控硅過流過載保護電路
本文介紹一種采用霍耳元件作為傳感器的可控硅過流過載保護電路,此外它還具有過熱保護功能和聲光報警功能。電路原理圖見圖1。
2013-01-10
霍耳元件 傳感器 可控硅 過載保護電路
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詳解TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路中保護元件的區(qū)別
對于大型的控制電路,比如LED燈塔的電源控制線路,其保護以及維修都是一個比較復(fù)雜的工程。使用TBU方案,是否可以使過壓過流電路保護解決方案設(shè)計更輕松呢?本文從傳統(tǒng)的保護元器件入手,對比傳統(tǒng)過流過壓保護元器件和TBU方案的工作方式,深度解析TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路保護元件的區(qū)別及其應(yīng)用限制...
2013-01-10
TBU 保護元件 TPS
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ESD的保護方法
ESD保護元件的對比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護,可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護架構(gòu)。不過,日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進行內(nèi)部2 kV等級的ESD保護所需要的面積。
2013-01-10
ESD 保護 TLP
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詳解開關(guān)電源嘯叫的原因
測試開關(guān)電源或在實驗中有聽到類似產(chǎn)品打高壓不良的漏電聲響或高壓拉弧的聲音或大或小,或時有時無,其韻律或深沉或刺耳,或變化無常者皆有。
2013-01-10
開關(guān)電源 嘯叫 大電流
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詳解貼片鉭電容的頻率特性
貼片鉭電容的頻率特性分析。鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。
2013-01-10
貼片鉭電容 頻率特性 能量損耗
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