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導(dǎo)通/截止比達(dá)到2.54萬(wàn)倍的4端子石墨烯晶體管
日本試制出邏輯元件用4端子石墨烯晶體管,晶體管溝道部分的尺寸為長(zhǎng)20nm、寬30nm,導(dǎo)通/截止比達(dá)到2.54萬(wàn)倍。
2012-12-14
石墨烯 晶體管 導(dǎo)通/截止比
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峰值效率高達(dá)95%的DC-DC穩(wěn)壓器
ADI推出轉(zhuǎn)換效率超過(guò)95%的緊湊型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,在-40°C至+125°C結(jié)溫范圍內(nèi)工作,采用緊湊型4 mm x 4 mm 24引腳LFCSP封裝。同步輸入,可將輸入紋波電流減至最小,并簡(jiǎn)化輸入濾波器設(shè)計(jì)
2012-12-14
ADI DC-DC 穩(wěn)壓器
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小功率充電器對(duì)片式保險(xiǎn)絲的變更性需求
本文從各類充電器的便攜式需求入手,分析人們對(duì)充電器以及適配器的小型化需求、輕薄化需求、安全可靠性需求,從而尋求元件小型化,貼片化的解決方案。
2012-12-14
充電器 保險(xiǎn)絲 AEM
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四類常用電阻的大比拼,誰(shuí)更好用?
近年來(lái),產(chǎn)品在不斷最求小型化,分立元件制造商開(kāi)發(fā)理想性能器件的壓力也隨之加大。在這些器件中,晶片電阻當(dāng)前始終保持很高的需求,并且是許多電路的基礎(chǔ)構(gòu)件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻,減少了組裝前期準(zhǔn)備的工作量。
2012-12-13
電阻 頻率
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透過(guò)TLP量測(cè)看如何選擇ESD防護(hù)TVS
消費(fèi)性電子產(chǎn)品如PC、NB、手機(jī),由于產(chǎn)品趨向小型化設(shè)計(jì)且集成電路內(nèi)部電子組件微小化已進(jìn)展到奈米的尺寸,如果沒(méi)有選擇合適的保護(hù)組件,可能會(huì)使電子產(chǎn)品容易遭受靜電放電(ESD)的沖擊而造成系統(tǒng)重置、當(dāng)機(jī)甚至損壞。
2012-12-12
ESD TVS 防護(hù) 電子
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Littelfuse推出動(dòng)態(tài)電阻0.4歐、箝位電壓更低的TVS
Littelfuse近日宣布研制出新型 SP3012-06UTG 低電容ESD保護(hù)瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA器件)。 新產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線的敏感芯片組免受任何外部ESD的破壞。
2012-12-11
Littelfuse TVS ESD
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上海晟芯做出國(guó)內(nèi)第一顆0201尺寸SESD保護(hù)元件
中國(guó)半導(dǎo)體放電管出貨量最大的制造商上海晟芯微電子(每月出貨量高達(dá)15KK)最近在硅ESD保護(hù)元件領(lǐng)域也異軍突起,成為中國(guó)第一家做出0201尺寸SESD的制造商。不僅性能已可媲美安森美的同類產(chǎn)品,而且價(jià)格更低。
2012-12-10
ESD 上海晟芯 二極管
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Littelfuse推出保護(hù)敏感芯片組的新款瞬態(tài)抑制二極管陣列
Littelfuse公司宣布研制出新型保護(hù)瞬態(tài)抑制二極管陣列??蔀榧呻娐诽峁└行У腅SD保護(hù),低動(dòng)態(tài)電阻的SP1005-01ETG和SP1007-01ETG可提供比多層壓敏電阻(MLV)等同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低80%的箝位電壓。其 典型應(yīng)用包括保護(hù)智能手機(jī)、平板電腦、電子閱讀器、便攜式導(dǎo)航裝置、數(shù)碼相機(jī)、便攜式醫(yī)學(xué)設(shè)備等消...
2012-12-07
Littelfuse 瞬態(tài)抑制二極管 保護(hù)
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基于鋰電池保護(hù)電路中MOSFET選擇的相關(guān)知識(shí)
MOSFET在鋰離子電池保護(hù)電路中都有著廣泛的應(yīng)用。但并不是所有類型的MOSFET都適合鋰電池保護(hù)電路的,這樣就涉及到MOSFET在鋰電池保護(hù)電路中的選擇問(wèn)題,如何選擇呢?請(qǐng)看下文。
2012-12-06
MOSFET 鋰電池 電路保護(hù)
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
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