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劉健、韓天祥、王平、馬學(xué)能等專家4月齊聚古城西安 共商配電行業(yè)發(fā)展前景
2018年4月20-22日，由中國設(shè)備管理協(xié)會專家服務(wù)主辦、國聯(lián)股份承辦的“2018年配電網(wǎng)發(fā)展暨配電設(shè)備技術(shù)研討會”將在陜西西安舉行，更有登高電氣、廈門維克、精百世、奧克斯等企業(yè)支持，國聯(lián)資源網(wǎng)及旗下國聯(lián)電氣產(chǎn)業(yè)網(wǎng)微信公眾號將全程跟蹤播報。
2018-03-26
配電 配電網(wǎng) 配電設(shè)備 國聯(lián)資源網(wǎng) 國聯(lián)電氣
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深度解析鎖相環(huán)的基本原理、相位模型及傳輸函數(shù)
鎖相的意義是相位同步的自動控制，能夠完成兩個電信號相位同步的自動控制閉環(huán)系統(tǒng)叫做鎖相環(huán)，簡稱PLL。它廣泛應(yīng)用于廣播通信、頻率合成、自動控制及時鐘同步等技術(shù)領(lǐng)域。
2018-03-26
鎖相環(huán) 通信
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松下電器機電施琳：圍繞中國企業(yè)智能制造升級 松下大力推進B2B業(yè)務(wù)
3月14日至3月16日上海慕尼黑電子展上，“智能制造”已經(jīng)成為廠商和觀眾口中頻頻討論的一個熱詞，隨著《中國制造2025》戰(zhàn)略的推進，中國制造業(yè)正在迎來大規(guī)模升級發(fā)展的契機，在這個宏偉藍(lán)圖中，智能制造和綠色制造是轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵力量。
2018-03-23
松下 工業(yè)自動化 智能制造
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多樣化的電容器不斷涌現(xiàn)，區(qū)別關(guān)鍵在于介質(zhì)
區(qū)別在于介質(zhì)的不同、性能不同、容量不同、結(jié)構(gòu)不同致使用環(huán)境和用途也不同。反過來講，人們根據(jù)生產(chǎn)實踐需要，實驗制造了各種功能的電容器來滿足各種電器的正常運行和新設(shè)備的運轉(zhuǎn)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和新材料的發(fā)掘，更優(yōu)質(zhì)、多樣化的電容器會不斷涌現(xiàn)。
2018-03-19
電容器 介質(zhì)
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采用MAX606設(shè)計12V的小功率開關(guān)電源
在便攜式儀器中，只能使用電池為系統(tǒng)供電。通常電池電壓比較低，系統(tǒng)中經(jīng)常需要使用小功率開關(guān)電源電路對低電壓進行電壓變換，滿足系統(tǒng)中不同功能模塊的需求。然而，使用開關(guān)電源必將引入紋波噪聲，如何降低該紋波噪聲成為系統(tǒng)設(shè)計的一個重要問題。開關(guān)電源的紋波抑制器通常使用C 型、LC型、CLC 型...
2018-03-19
MAX606 12V 小功率 開關(guān)電源
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關(guān)于RS-485接口電路，你需要的都在這里
本設(shè)計指南討論如何設(shè)計RS-485接口電路。文中討論了平衡傳輸線標(biāo)準(zhǔn)的必要性，并給出了一個過程控制設(shè)計例子。文中還分標(biāo)題討論了線路負(fù)載、信號衰減、失效保護和電流隔離。
2018-03-16
RS-485 接口電路
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繼電器的振動，可讓MOSFET在開關(guān)關(guān)閉時被破壞
請注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機械開關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動感性負(fù)載時，不要將機械開關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時，由于繼電器的啟動時間短，產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt)，這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來的。
2018-03-16
繼電器 MOSFET 開關(guān)
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一文讀懂，晶振為什么會發(fā)生停振？
在遇到事情是要以一分為二，對于晶振也不例外，應(yīng)從內(nèi)外因不同的角度來分析晶振停振。下面我們以內(nèi)外因來分析晶振停振。
2018-03-15
晶振 停振
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解析高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型
本文介紹了高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型。此模型涉及的濕度加速因子是從溫濕偏置試驗中提取的；高壓IGBT的溫濕偏置試驗在不同的濕度和不同的電壓下進行測試，目的是為了找出濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響。最終，我們把濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響以及溫度因數(shù)都集成到壽命預(yù)估模...
2018-03-14
電容 電解電容
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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