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福祿克70年匠心：傳承經(jīng)典 保持創(chuàng)新，助力智能制造新未來(lái)
福祿克測(cè)試儀器（上海）有限公司近日宣布，4月17日在中國(guó)重慶隆重舉辦了福祿克70周年紀(jì)念活動(dòng)暨品牌戰(zhàn)略和新品發(fā)布會(huì)。
2018-04-24
福祿克 測(cè)試儀器
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倒計(jì)時(shí)兩天！OFweek2018（第五屆）中國(guó)激光在線展會(huì)亮點(diǎn)大揭秘
截止目前，距離“OFweek 2018（第五屆）中國(guó)激光在線展會(huì)”召開(kāi)只剩下不到一天時(shí)間，各項(xiàng)準(zhǔn)備工作也已經(jīng)如火如荼地展開(kāi)，網(wǎng)絡(luò)報(bào)名入口更是一片火熱。
2018-04-19
激光
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可彎曲摔不碎的半導(dǎo)體？顛覆你的認(rèn)知
硫化亞銀是一種典型的半導(dǎo)體，但卻具有非常反常的和金屬類似的力學(xué)性能，特別是它擁有良好的延展性和可彎曲性，有望在柔性電子中獲得廣泛應(yīng)用，比如智能衣服、可彎曲太陽(yáng)能板等。
2018-04-17
產(chǎn)業(yè)前沿 光電及顯示 半導(dǎo)體 硫化亞銀
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深度解析高誘電系陶瓷電容器老化特性
高誘電系陶瓷電容器，主要構(gòu)成成分為鈦酸鋇（BaTiO3）。本系列電容器具有靜電容量隨著時(shí)間的推移而變小的現(xiàn)象。這個(gè)現(xiàn)象就叫作靜電容量的老化特性。
2018-04-13
高誘電系 陶瓷電容器
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電源IC與MOS管選定后，選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路很關(guān)鍵
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。
2018-04-10
MOSFET 電源管理 驅(qū)動(dòng)電路
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突破PLCDCS多通道模擬輸入通道間隔離、高密度和EMI高輻射的設(shè)計(jì)障礙
本文將簡(jiǎn)要討論在過(guò)程控制中模擬量輸入模塊中的隔離問(wèn)題以及其傳統(tǒng)解決方法，然后將提出一種替代性的高密度、易于設(shè)計(jì)的通道間隔離模擬輸入模塊的完整解決方案。測(cè)試結(jié)果表明，這個(gè)16通道、2.5 kV rms通道間隔離演示模塊可以輕松通過(guò)EN55022 Class B 和Class A的IEC輻射標(biāo)準(zhǔn)。
2018-04-10
PLCDCS 模擬輸入 隔離 EMI
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詳解用非平衡電橋如何測(cè)量電阻
電橋按測(cè)量方式可分為平衡電橋和非平衡電橋。雖然它們都可以準(zhǔn)確地測(cè)量電阻，但平衡電橋只能用于測(cè)量相對(duì)穩(wěn)定的電阻值，而非平衡電橋能用于測(cè)量連續(xù)變化的電阻值。
2018-04-04
非平衡電橋 電阻
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低功耗藍(lán)牙無(wú)線傳感器
如今，科技發(fā)展迅猛，各種設(shè)備讓世界變得更加智能。新技術(shù)的不斷出現(xiàn)，不僅改進(jìn)了現(xiàn)有技術(shù)，還創(chuàng)造了新的細(xì)分市場(chǎng)。藍(lán)牙技術(shù)的進(jìn)步使得智能藍(lán)牙（低功耗藍(lán)牙BLE）應(yīng)運(yùn)而生。按照藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）的定義，BLE是一種低功率、短距離、低數(shù)據(jù)速率的無(wú)線通信協(xié)議。
2018-04-02
低功耗藍(lán)牙 傳感器
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采用去耦和不采用去耦緩沖電路差異
會(huì)不會(huì)總是需要使用去耦電容器？它的作用到底是什么？要回答這個(gè)問(wèn)題，需要考證在不使用去耦器件時(shí)會(huì)出現(xiàn)什么問(wèn)題。圖 1 為帶去耦電容器和不帶去耦電容器（C1 和C2）情況下用于驅(qū)動(dòng) R-C 負(fù)載的緩沖電路。我們注意到，在不使用去耦電容器的情況下，電路的輸出信號(hào)包含高頻 (3.8MHz) 振蕩。
2018-03-30
電容器 去耦電容器
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- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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