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助推電動(dòng)汽車發(fā)展的新動(dòng)力：Soitec 的 SmartSiC?
如果說(shuō)人類世界當(dāng)前面臨的最緊迫危機(jī)是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經(jīng)造成的災(zāi)難性環(huán)境破壞以及人口損害，那么，在當(dāng)前的地球溫室氣體排放中，交通業(yè)的“貢獻(xiàn)”最大，傳統(tǒng)上它已被視為重要的污染源。
2022-10-11
電動(dòng)汽車 Soitec SmartSiC
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瑞薩RA MCU在BMS產(chǎn)品中的應(yīng)用
BMS電池管理系統(tǒng)一般包含以下幾個(gè)部分：電壓采樣、電流采樣、充放電控制、硬件過(guò)流保護(hù)、SOC算法、對(duì)外的通信接口等。本案例中SOC算法和通信接口，由RA2L1（R7FA2L1A93CFL）完成，其余部分由AFE（Analog Front End）模擬前端芯片ISL489206或ISL489204（14串）完成。
2022-10-11
瑞薩 MCU BMS
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_(kāi)通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔...
2022-10-11
IGBT ZVS ZCS
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噪聲是什么？EMC是什么？噪聲損害是電子社會(huì)的現(xiàn)代病
電腦的通信錯(cuò)誤、手機(jī)通話突然斷開(kāi)……您有過(guò)類似的經(jīng)驗(yàn)嗎？我們周圍充斥著噪聲，它們會(huì)通過(guò)各種線路侵入電子設(shè)備，引發(fā)故障。那么，這些看不見(jiàn)的噪聲的真身是什么？本周為您帶來(lái)3篇關(guān)于電子噪音及EMC對(duì)策的科普文章，希望有助于您了解其基礎(chǔ)知識(shí)。
2022-10-11
噪聲 EMC 噪聲損害
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測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以Si...
2022-10-11
測(cè)試測(cè)量 SiC MOSFET 柵-源電壓
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安森美在羅馬尼亞設(shè)立新研發(fā)中心，提升全球設(shè)計(jì)能力
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，近日宣布在羅馬尼亞布加勒斯特設(shè)立一個(gè)全新的研發(fā)中心，以進(jìn)一步提升安森美的全球設(shè)計(jì)能力。該研發(fā)中心將致力于開(kāi)發(fā)耐高溫和經(jīng)久耐用的產(chǎn)品，用于汽車隔離驅(qū)動(dòng)以及用于智能感知的高精度器件，以進(jìn)一步順應(yīng)汽車和工業(yè)發(fā)展...
2022-10-10
安森美 研發(fā)中心 智能感知
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如何使用AT32F407以太網(wǎng)通信接口實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中編程(IAP)
在應(yīng)用中編程(IAP)是一種在現(xiàn)場(chǎng)通過(guò) MCU 通信接口（例如 USART、USB、CAN 和以太網(wǎng)）進(jìn)行固件升級(jí)的方式。無(wú)論是IAP代碼還是應(yīng)用程序代碼都位于微控制器的內(nèi)置FLASH中，IAP代碼通常存儲(chǔ)在MCU FLASH的第一頁(yè)，而用戶應(yīng)用程序代碼則占據(jù)剩余的FLASH區(qū)域。
2022-10-10
AT32F407 以太網(wǎng) 通信接口 編程
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