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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS邏輯電路、D型鎖存器
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是進(jìn)一步強(qiáng)化上一個(gè)實(shí)驗(yàn)活動(dòng) “ADALM2000實(shí)驗(yàn)：使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門級(jí)電路的經(jīng)驗(yàn)。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門和CMOS反相器來構(gòu)建D型觸發(fā)器或鎖存器。
2022-12-14
CMOS邏輯電路 D型鎖存器
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納芯微驅(qū)動(dòng)芯片助力工業(yè)自動(dòng)化和汽車應(yīng)用發(fā)展
隨著新能源汽車和工業(yè)控制對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的需求越來越旺盛、要求越來越復(fù)雜，開發(fā)者在芯片設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮更多元化的場(chǎng)景和更細(xì)節(jié)的技術(shù)要點(diǎn)。點(diǎn)擊下方視頻，從“三相逆變功率驅(qū)動(dòng)”、“車載充電器電子鎖”、“PLC數(shù)字輸出”三大典型應(yīng)用場(chǎng)景出發(fā)，結(jié)合納芯微最新推出的智能驅(qū)動(dòng)芯片，了解如何在系統(tǒng)開發(fā)時(shí)選...
2022-12-14
納芯微 驅(qū)動(dòng)芯片 汽車應(yīng)用
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開關(guān)電源環(huán)路穩(wěn)定性分析(四)
在開關(guān)電源的系統(tǒng)中，要想使其輸出電壓穩(wěn)定，可以對(duì)輸出電壓進(jìn)行監(jiān)控，然后調(diào)節(jié)開關(guān)管的開通和關(guān)斷，這種方式被稱為電壓控制模式。
2022-12-13
開關(guān)電源環(huán)路 開關(guān)電源
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安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國(guó)“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”多項(xiàng)殊榮
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”評(píng)選中榮獲多項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”，汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”，高功率圖騰柱PFC控...
2022-12-13
安森美 智能電源
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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車輛的空閑時(shí)間，尤其是在長(zhǎng)途駕駛中。電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實(shí)現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個(gè)單元充電器的設(shè)計(jì)范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個(gè)單元元件組合到模塊化設(shè)計(jì)中可以增加功率輸出，幫助充電...
2022-12-13
面貼裝功率器件 電動(dòng)汽車電池
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800V高壓BMS：如何做到系統(tǒng)架構(gòu)升級(jí)，組件成本下降？
各種電池結(jié)構(gòu)都有其固有的優(yōu)缺點(diǎn)。汽車OEM廠商需要分析并確定哪種架構(gòu)更適合自己的生產(chǎn)模式，同時(shí)保持系統(tǒng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。使用兩個(gè)獨(dú)立的400V電池是解決這一挑戰(zhàn)的創(chuàng)新性解決方案。
2022-12-13
BMS 系統(tǒng)架構(gòu) 組件成本
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不同功率器件在充電樁三相LLC拓?fù)渲械膽?yīng)用探討
近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對(duì)充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基于三相LLC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場(chǎng)需求。基于30千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級(jí)800V，對(duì)于650V和1200V器件存在兩種不同的拓?fù)浞桨?。文章針?duì)這兩類拓?fù)溥M(jìn)行參數(shù)設(shè)計(jì)，選取...
2022-12-13
功率器件 充電樁 LLC拓?fù)?/p>
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-12-13
SiC MOSFET 寄生電容 高頻電源
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英飛凌優(yōu)化DC-DC設(shè)計(jì)，滿足新一代數(shù)據(jù)中心的性能與能耗需求
可提供優(yōu)質(zhì)體驗(yàn)、創(chuàng)造全新商業(yè)模式的AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)，近幾年的落地速度不斷加快。上述新技術(shù)背后都需要有性能強(qiáng)大的數(shù)據(jù)中心提供支持，不過伴隨著強(qiáng)大算力與傳輸功能而來的便是高能耗。英飛凌指出，龐大的能源消耗帶來的不只是電費(fèi)的增加，還有與日俱增的ESG壓力，因此企業(yè)必須在使用高性能...
2022-12-12
英飛凌 DC-DC設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù)中心
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