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電容器市場與發(fā)展現(xiàn)狀
電容的市場與發(fā)展現(xiàn)狀
2009-08-31
西部電子論壇 XCEF 電磁兼容 電路保護(hù)
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電磁干擾與電磁兼容問題集錦
電磁兼容與電路保護(hù)技術(shù)研討會問答集錦
2009-08-31
西部電子論壇 XCEF 電磁兼容 電路保護(hù)
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飛兆半導(dǎo)體推出新一代超級結(jié)MOSFET-SupreMOS
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。
2009-08-28
MOSFET 飛兆 電源 照明 顯示 工業(yè)
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IR推出基準(zhǔn)工業(yè)級30V MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET,為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。
2009-08-27
IR 國際整流器 MOSFET 電源 逆變器
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高效節(jié)能技術(shù)應(yīng)對更嚴(yán)格電源能效規(guī)范要求
隨著人們節(jié)能環(huán)保意識的不斷增強,計算機、照明、消費電子、電源適配器和家電等領(lǐng)域越來越多地出現(xiàn)了更嚴(yán)苛能效法規(guī)的限制。本文為你介紹高效的技能技術(shù)和解決方案
2009-08-27
電源能效 PFC NCP1652
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SiE876DF:Vishay導(dǎo)通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay宣布推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝,在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω,比市場上可供比較的最接近器件減小了13%。
2009-08-26
SiE876DF MOSFET Vishay
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正確選擇合適的熔絲
一般而言,電路保護(hù)器件通常在電路設(shè)計中扮演著最不起眼的角色:人們通常都是在完成設(shè)計之后才想起它們,而且對其瑣碎的電氣特征不勝其煩。然而,我們目前在電路設(shè)計的早期階段就必須開始考慮電路設(shè)計與選擇合適的保護(hù)器件之間的關(guān)系,并且在整個設(shè)計過程中都要仔細(xì)處理這一問題。
2009-08-25
熔絲 保險絲
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中國電子展首入蓉城 西部電子借力起飛
中國電子展首度進(jìn)成都 ,中國(成都)電子展開幕在即,企業(yè)參展的熱情仍是勢頭不減,已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過去年西安的規(guī)模,這種“火熱”與經(jīng)濟(jì)大環(huán)境相對的“冷”而言,形成了鮮明的對比。一方面是企業(yè)對西部電子信息行業(yè)環(huán)境、潛力的看好,另一方面也是企業(yè)拓展市場的積極表現(xiàn)
2009-08-24
成都 西部電子論壇 cef XCEF
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為嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境選擇合適的電源模塊
——RECOM亞太區(qū)技術(shù)銷售總監(jiān)Harry Gu專訪RECOM新近推出的PowerlinePLUS電源模塊就是針對高溫(工作溫度在100oC到105oC)下高功率密度和抗震動的產(chǎn)品應(yīng)用而推出的。在功率器件與模塊電源應(yīng)用技術(shù)研討會上,RECOM亞太區(qū)技術(shù)銷售總監(jiān)Harry Gu將針對PowerlinePLUS做詳細(xì)的介紹。
2009-08-21
PowerlinePLUS 電源模塊 DC/DC轉(zhuǎn)換器 XCEF
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)?
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