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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)
飛兆半導體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。它允許更高的開關(guān)頻率，但能保持相同或更低的開關(guān)和導通損耗，從而允許使用更小的電感、電容和散熱器，不僅可降低系統(tǒng)BOM成本，而且可在相同外形因子下提高輸出功率，或...
2013-03-29
飛兆半導體 IGBT 碳化硅 雙極結(jié)型晶體管
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集成DC/DC驅(qū)動器及MOSFET VR功率級的DrMOS器件
英飛凌近日在2013應用電力電子會議暨展覽會中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC 驅(qū)動器及MOSFET VR功率級。
2013-03-28
英飛凌 DrBlade DC/DC MOSFET
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【設計指南】如何控制運算放大器增益誤差
在增益單元中設計某個放大器時，為這項工作選擇備選放大器時您需要了解一些事情。您的信號最大帶寬 (SBW) 是多少？放大器閉環(huán)噪聲增益 (NG) 是多少，以及考慮中的放大器的增益帶寬產(chǎn)品 (GBWP) 是什么？
2013-03-25
運算放大器 增益誤差 設計指南
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【知識普及】高頻開關(guān)電源的組成及分類
電子裝置小型輕量化的關(guān)鍵是供電電源的小型化，因此需要盡可能地降低電源電路中的損耗。開關(guān)電源中的調(diào)整管工作于開關(guān)狀態(tài)，必然存在開關(guān)損耗，而且損耗的大小隨開關(guān)頻率的提高而增加。另一方面，開關(guān)電源中的變壓器、電抗器等磁性元件及電容元件的損耗，也隨頻率的提高而增加。
2013-03-25
高頻開關(guān)電源 開關(guān)電源 DC/DC變換器
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可實現(xiàn)更高系統(tǒng)效率及更小系統(tǒng)尺寸的碳化硅MOSFET
科銳宣布量產(chǎn)第二代碳化硅MOSFET器件。相對于同等成本的基于硅器件的系統(tǒng)，科銳新型碳化硅MOSFET器件可實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率及更小的系統(tǒng)尺寸，可為OEM廠商帶來更低的系統(tǒng)成本。
2013-03-25
系統(tǒng)效率 系統(tǒng)尺寸 碳化硅MOSFET
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汽車應用中的電機驅(qū)動設計實例
在汽車中，水泵、油泵和助力轉(zhuǎn)向泵這些負載仍由發(fā)動機直接驅(qū)動，采用電機驅(qū)動這些負載，可大大簡化機械設計，無需采用皮帶和轉(zhuǎn)輪，同時節(jié)省發(fā)動機艙內(nèi)空間。AUIR3330S 提供了一個可以全速范圍驅(qū)動任何類型電機的解決方案，其主動di/dt 控制實現(xiàn)了EMI及開關(guān)損耗性能的優(yōu)化。
2013-03-25
汽車 電機驅(qū)動 設計實例
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0V~500V、10mA敏感的模擬電路的線性電源選擇
開關(guān)電源技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電源的首要選擇，它可以實現(xiàn)從主電源獲得所需的輸出電壓。但是，其通常伴有較高的噪聲，不能用于敏感的模擬電路。這些情況下，最佳的選擇還是線性電源。
2013-03-24
模擬電路 線性電源 開關(guān)電源
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如何設計防雷擊浪涌的開關(guān)電源
一般建筑物上的避雷針只能預防直擊雷，而強大的電磁場產(chǎn)生的感應雷和脈沖電壓卻能潛入室內(nèi)危及電視、電話及電子儀表等用電設備。特別是太陽能控制儀表，由于太陽能安裝位置的特殊情況，其使用穩(wěn)定性是廣大開發(fā)人員一直關(guān)注的重點。
2013-03-24
雷擊浪涌 開關(guān)電源
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降低開關(guān)電源噪聲用于高靈敏度的模擬電路
開關(guān)電源的特征就是產(chǎn)生強電磁噪聲，若不加嚴格控制，將產(chǎn)生極大的干擾。為了保護開關(guān)管免受由于寄生參數(shù)等因素引起的振蕩尖峰電壓的沖擊常需要阻尼，阻尼器連到有問題的線圈上，這也可以減小發(fā)射。
2013-03-22
開關(guān)電源 高靈敏度 模擬電路
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