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收藏！5V轉(zhuǎn)3.3V電平的19種方法技巧
標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V，就不能使用它們。壓差為幾百個(gè)毫伏的低壓降 （Low Dropout， LDO）穩(wěn)壓器，是此類應(yīng)用的理想選擇。圖 1-1 是基本LDO 系統(tǒng)的框圖，標(biāo)注了相應(yīng)的電流。從圖中可以看出， LDO 由四個(gè)主要部分組成：
2019-08-29
LDO穩(wěn)壓器 齊納二極管
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利用三極管設(shè)計(jì)開關(guān)電路
很多工程師在上學(xué)時(shí)被老師講的三極管的各種電路接法，和小信號模型分析給繞暈了。而且大學(xué)的課本大多數(shù)都是在講三極管的放大特性。其實(shí)在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中，三極管的很多應(yīng)用場景只是利用三級管的開關(guān)特性，我們往往是運(yùn)用三極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)電路，做一些電平轉(zhuǎn)換的功能。
2019-08-28
三極管 設(shè)計(jì) 開關(guān)電路
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光耦傳輸比對開關(guān)電源的影響
光耦的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V（BR）CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE（sat）。此外，在傳輸數(shù)字信號時(shí)還需考慮上升時(shí)間、下降時(shí)間、延遲時(shí)間和存儲時(shí)間等參數(shù)。
2019-08-28
光耦傳輸比 開關(guān)電源
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德州儀器：DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南（二）——噪聲傳播和濾波
高開關(guān)頻率是在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展過程中促進(jìn)尺寸減小的主要因素。為了符合相關(guān)法規(guī)，通常需要采用電磁干擾 (EMI) 濾波器，而該濾波器通常在系統(tǒng)總體尺寸和體積中占據(jù)很大一部分，因此了解高頻轉(zhuǎn)換器的 EMI 特性至關(guān)重要。
2019-08-28
DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI 噪聲傳播 濾波
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使用電源濾波器的幾個(gè)常見錯(cuò)誤匯總
在實(shí)驗(yàn)測試過程中，設(shè)計(jì)工程師常遇到這樣的情況：雖然在設(shè)備電源線上接了電源濾波器，但是該設(shè)備還是不能通過“傳導(dǎo)騷擾電壓發(fā)射”測試，工程師懷疑濾波器的濾波效果不好，不斷更換濾波器，仍不能得到理想的效果。
2019-08-27
電源濾波器
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掌握MOS管選型技巧，老司機(jī)只要七步！
MOS管是電子制造的基本元件，但面對不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時(shí)，該如何抉擇？有沒有省心、省力的遴選方法？下面我們就來看一下老司機(jī)是如何做的。
2019-08-26
MOS管 選型技巧
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電源設(shè)計(jì)中的電容應(yīng)用
電源往往是我們在電路設(shè)計(jì)過程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。其實(shí)，作為一款優(yōu)秀的設(shè)計(jì)，電源設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)是很重要的，它很大程度影響了整個(gè)系統(tǒng)的性能和成本。
2019-08-26
電源設(shè)計(jì) 電容應(yīng)用
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如何為開關(guān)電源選擇合適的MOSFET？
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。
2019-08-26
開關(guān)電源 MOSFET
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【干貨 】 如何選擇合適的基準(zhǔn)電壓源？（二）
在上一篇文章“【干貨 】 如何選擇合適的基準(zhǔn)電壓源？（二）”中，我們講解了基準(zhǔn)電壓源的規(guī)格和類型。本文中，我們將講解如何為應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)幕鶞?zhǔn)電壓源。
2019-08-26
基準(zhǔn)電壓源 電壓源IC
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