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強魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動電路設(shè)計指南
隨著新能源時代的到來，車載充電機（OBC）以及光伏逆變器（PV inverter）等新能源應(yīng)用帶來了數(shù)字控制開關(guān)電源的高速發(fā)展。
2022-03-26
強魯棒性 柵極驅(qū)動 設(shè)計指南
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集成1700V SiC MOSFET車規(guī)高壓開關(guān)不僅是多個第一
多年來，Power Integrations（PI）不斷將許多用于消費類電子AC-DC的產(chǎn)品推向市場，數(shù)量和占有率相當(dāng)可觀。現(xiàn)在，憑借長期致力于高效功率應(yīng)用的能力，PI又將其AC-DC擴展到汽車類應(yīng)用，特別是輕型電動汽車高壓功率架構(gòu)，這對PI來說可是一個新的應(yīng)用領(lǐng)域。
2022-03-26
SiC MOSFET 車規(guī) 高壓開關(guān)
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安森美公布2021年代理商伙伴獎獲獎?wù)?/span>
2022年3月23日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，公布其2021年代理商伙伴獎獲獎?wù)?。該等獎項旨在表彰各地區(qū)的杰出代理商，他們在不斷發(fā)展的半導(dǎo)體市場中引領(lǐng)分銷渠道銷售、擴大市場份額、贏得設(shè)計入選、及在卓越流程的整體表現(xiàn)上都獲得高分。
2022-03-23
安森美 代理商伙伴獎
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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對...
2022-03-20
碳化硅 MOSFET 性能
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低能量水平下的電壓轉(zhuǎn)換
本文將介紹一類新的DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中一個例子是LTC3336。它在待機模式下僅消耗約65 nA的電流，非常適合電池供電系統(tǒng)。
2022-03-20
電壓轉(zhuǎn)換 DC-DC轉(zhuǎn)換器 LTC3336
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更多SiC FET選項意味著能更靈活地選擇劃算的解決方案
在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器的過程中需要權(quán)衡大量參數(shù)。UnitedSiC通過自己的FET-JET計算器和多種零件讓評估變得簡單易行。
2022-03-19
SiC FET 解決方案 功率轉(zhuǎn)換器
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用電壓監(jiān)控器SGM891B實現(xiàn)電源動作靈活精準控制
在電源系統(tǒng)中由于負載對電源電壓范圍有一定要求，同時給負載供電的輸入電壓可能有一定波動范圍，比如超級電容、電池等作為電源輸入時，其電壓往往有較大的波動范圍。那么在實際應(yīng)用系統(tǒng)中就需要對電源進行一定控制，在監(jiān)控電源電壓的同時做出相應(yīng)的動作，往往需要在電源電壓達到負載穩(wěn)定工作的電壓...
2022-03-19
電壓監(jiān)控器 SGM891B
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ETHISPHERE宣布安森美連續(xù)第七年獲選為2022年世界最道德企業(yè)之一
2022年3月16日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，獲Ethisphere選為2022年世界最道德企業(yè)之一。Ethisphere是定義和推進合乎商業(yè)道德標準的一個全球領(lǐng)導(dǎo)者。這是安森美連續(xù)第七年上榜。2022年，來自22個國家、跨45個行業(yè)的136家企業(yè)受到表彰。半導(dǎo)體行業(yè)則只...
2022-03-16
ETHISPHERE 安森美 最道德企業(yè)
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使用最新的SiC FET技術(shù)提升車載充電器性能
碳化硅FET已經(jīng)在車載充電器（OBC）電路領(lǐng)域確立了自身地位，尤其是在電池工作電壓超過500V的情況下。這些器件的低功率損耗使得穿孔封裝和表面安裝式封裝都可以用于此應(yīng)用。我們調(diào)查了這些封裝選項的相對熱性能，并證實了TO247-4L和D2PAK-7L選項可用于6.6 kW和22 kW充電器。
2022-03-15
SiC FET 車載充電器 性能
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓撲結(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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