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從頑童看創(chuàng)新
村田制作所在本屆高交會(huì)上展示了會(huì)騎單車的小機(jī)器人——村田頑童，每次演示都吸引了大量觀眾。村田頑童是村田制作所2005年發(fā)布的，至今已經(jīng)3周歲，但是他那精湛的騎單車技術(shù)仍然吸引了眾多觀眾的駐足。
2008-11-04
傳感器 MTC模塊 無線 藍(lán)牙 電源
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從頑童看創(chuàng)新
村田制作所在本屆高交會(huì)上展示了會(huì)騎單車的小機(jī)器人——村田頑童，每次演示都吸引了大量觀眾。村田頑童是村田制作所2005年發(fā)布的，至今已經(jīng)3周歲，但是他那精湛的騎單車技術(shù)仍然吸引了眾多觀眾的駐足。
2008-11-04
傳感器 MTC模塊 無線 藍(lán)牙 電源
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完整時(shí)鐘解決方案
本文主要介紹了安森美半導(dǎo)體公司開發(fā)的完整時(shí)鐘解決方案，闡釋了時(shí)鐘樹解決方案的時(shí)鐘產(chǎn)生和時(shí)鐘支持及分配的兩部分，介紹了高性能PureEdge?時(shí)鐘產(chǎn)生模塊，單個(gè)多PLL可編程時(shí)鐘解決方案，NB3N3020可編程時(shí)鐘乘法器等安森美半導(dǎo)體的新技術(shù)。
2008-11-04
時(shí)鐘樹 PureEdge時(shí)鐘產(chǎn)生模塊 PLL NB3N3020
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如何為MAX1470超外差接收機(jī)選擇石英晶體振蕩器
本文主要介紹如何為MAX1470超外差接收機(jī)選擇石英晶體振蕩器，它幫助了讀者理解石英晶體振蕩器的指標(biāo)參數(shù)，根據(jù)MAX1470超外差接收機(jī)電路應(yīng)用選擇合適的晶體，經(jīng)驗(yàn)證獲得最佳效果。
2008-11-04
石英晶體振蕩器 MAX1470超外差接收機(jī)電路
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晶體振蕩器的工作原理
本文主要介紹了石英晶體振蕩器的相關(guān)知識(shí)。首先介紹了它的基本原理，包括結(jié)構(gòu)、壓電效應(yīng)、符號(hào)和等效電路、諧振頻率；接著介紹了它的類型特定；然后介紹了它的主要參數(shù)；最后介紹了它的發(fā)展趨勢(shì)及其應(yīng)用。
2008-11-04
石英晶體振蕩器 工作原理 參數(shù) 特點(diǎn)
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安森美半導(dǎo)體專家分享ESD保護(hù)的先進(jìn)技術(shù)
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)今日在臺(tái)北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會(huì)上，針對(duì)如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個(gè)層級(jí)的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可...
2008-11-04
靜電放電 ESD
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安森美半導(dǎo)體專家分享ESD保護(hù)的先進(jìn)技術(shù)
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)今日在臺(tái)北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會(huì)上，針對(duì)如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個(gè)層級(jí)的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可...
2008-11-04
靜電放電 ESD
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安森美半導(dǎo)體專家分享ESD保護(hù)的先進(jìn)技術(shù)
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)今日在臺(tái)北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會(huì)上，針對(duì)如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個(gè)層級(jí)的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可...
2008-11-04
靜電放電 ESD
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松下計(jì)劃收購(gòu)三洋涉足太陽能電池市場(chǎng)
據(jù)消息人士稱，松下正在與高盛以及三洋其它兩家大股東談判，計(jì)劃通過收購(gòu)股份控股三洋
2008-11-04
可充電電池 太陽能電池
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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