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村田制作所：在陶瓷領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新
秉承“Innovator in Electronics”的企業(yè)口號，村田公司從未停止過創(chuàng)新。公司成立近六十年來，村田一直緊緊跟隨市場的變化，用創(chuàng)新的產(chǎn)品積極應對市場熱點和新的應用，不斷取得市場成功。
2009-10-16
村田制作所 陶瓷領(lǐng)域 LTCC
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威世科技：通過收購策略打造無源和半導體領(lǐng)域的全能廠商
威世公司通過自主研發(fā)制造和收購其他公司等途徑打造了完整的無源元件和分立半導體產(chǎn)品線，目前是世界上分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電子產(chǎn)品及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一。
2009-10-16
Vishay 威世科技 無源器件 分立半導體
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HIH-5030/5031系列：霍尼韋爾推出更低供電電壓的濕度傳感器
霍尼韋爾推出在更低供電電壓工作的表面安裝的濕度傳感器，高性能的傳感器設計，旨在幫助降低加工成本以及提高應用的靈活性,滿足系統(tǒng)整體性能的要求，在整個0 ? 100 ％相對濕度范圍內(nèi)提供更可靠的穩(wěn)定性、精度和響應時間。
2009-10-16
霍尼韋爾 更低供電電壓 濕度傳感器 完善HIH-4030/4031
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第六屆中國國際半導體照明展覽會暨論壇開幕 亮點紛呈
10月14日，第六屆中國國際半導體照明展覽會暨論壇（CHINA SSL 2009）在深圳會展中心開幕。本次大會為期三天，其中展覽會部分參展企業(yè)與機構(gòu)共278家，比上屆增加41.8%。展覽內(nèi)容覆蓋從半導體照明的外延材料到照明燈具的整個產(chǎn)業(yè)鏈，眾多國內(nèi)外知名公司亮相展會。
2009-10-15
CHINA SSL 2009 半導體照明 第六屆中國國際半導體照明展覽會 LED
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FCI：獨創(chuàng)AirMax技術(shù)引領(lǐng)背板連接器行業(yè)標準
FCI是一家接近30年的連接器制造商，一直將創(chuàng)新視為未來發(fā)展的關(guān)鍵因素。在這個國際化公司利用創(chuàng)新技術(shù)的成功故事中，AirMax技術(shù)充當了其中的主角。本次2009中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商評選活動系列專題報道之一的“國際電子元器件廠商卓越技術(shù)貢獻專輯”特別關(guān)注了具有革命意義的AirMax技術(shù)，為此電子...
2009-10-15
AirMax技術(shù) AirMax 背板連接器 行業(yè)標準 FCI
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硅薄膜太陽能技術(shù)具先天優(yōu)勢 準確定位是關(guān)鍵
在薄膜太陽能技術(shù)中，硅薄膜太陽能是業(yè)界投入最普遍的技術(shù)；市場研究機構(gòu)DIGITIMESResearch指出，由于全球?qū)璞∧げ牧涎芯肯鄬Τ墒欤覠o缺料問題，再加上面板產(chǎn)業(yè)可借重在硅薄膜領(lǐng)域的經(jīng)驗，國際大廠如夏普(Sharp)、三星電子(SamsungElectronics)與樂金電子(LGElectronics)等均投入硅薄膜太陽能量...
2009-10-15
硅薄膜 太陽能 先天優(yōu)勢 定位
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霍尼韋爾推出高穩(wěn)定性的硅壓力傳感器
霍尼韋爾國際新推出的TruStability ?傳感器，HSC和SSC系列，其設計旨在優(yōu)化性能，并提供應用的靈活性。
2009-10-15
霍尼韋爾 TruStability 硅壓力傳感器 流體測量 高穩(wěn)定性
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工信部:電子制造業(yè)虧損企業(yè)數(shù)增長近三成
10日，工信部公布了1～8月電子信息制造業(yè)的整體運行情況：全部企業(yè)的主營業(yè)務收入29617.79億元，小幅下降了4.8%，但利潤總額僅為892億元，下滑了21.5%。其中，相當部分原因是由于出口的下降。統(tǒng)計顯示，電子制造業(yè)的出口交貨值與去年同期相比下降了11.3%。
2009-10-14
電子制造業(yè) 工信部 虧損
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歐盟提出新的WEEE和RoHS指令修訂草案
2009年9月3日，歐盟理事會秘書處向歐盟成員國代表提出新的RoHS指令和WEEE指令修訂草案文本。去年12月3日，歐洲委員會首次提出RoHS指令和WEEE指令的修訂草案（COM(2008)809和COM(2008)810），修訂的目的在于收緊現(xiàn)行法規(guī)、提高生產(chǎn)商責任以及加強歐盟27國的市場監(jiān)管。第一次修訂草案提出后，由于收到...
2009-10-14
歐盟 RoHS WEEE
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- 不同拓撲結(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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