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基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法:基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程,并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中,功率MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在跨越恒流區(qū)時(shí),功率MOSFET漏極的電流和...
2009-10-26
MOSFET 關(guān)斷區(qū) 恒流區(qū) 可變電阻區(qū)
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss,Coss,Crss及相對(duì)應(yīng)的Qg,Qds和Qgs在開關(guān)過程中對(duì)開關(guān)損耗的影響?;谠诶硐霠顟B(tài)下,用工程簡(jiǎn)化方式計(jì)算出MOSFET在開關(guān)過程中不同階段的開關(guān)損耗,并分析出Crss及相對(duì)應(yīng)的Qgd對(duì)于MOSFET管的開關(guān)損耗起主導(dǎo)作用。然后,論述了在實(shí)際狀態(tài)下,Coss對(duì)開通和關(guān)斷過程...
2009-10-26
米勒電容 開關(guān)損耗 零電壓開關(guān)
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基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)電路
功率MOSFET具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此在開關(guān)電源,馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中,電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注,尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中,MOSFET產(chǎn)生一定...
2009-10-26
MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路
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帶有內(nèi)置ESD保護(hù)的MOSFET
CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強(qiáng)模式MOSFET,帶有內(nèi)置的2kV ESD保護(hù)。它帶有兩個(gè)獨(dú)立的50V,280mA的MOSFET,在每個(gè)器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)在50mA,1.8V時(shí)是3.0歐姆
2009-10-26
CMLDM7003 MOSFET ESD保護(hù)
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3390:HIOKI最新功率分析儀
從地球環(huán)境保護(hù)的角度來看的話,和功率測(cè)量相關(guān)的需求及期待越來越大。太陽能發(fā)電和電動(dòng)車(EV)的推廣、以及智慧型電網(wǎng)的構(gòu)想等措施都將促進(jìn)功率計(jì)的性能和功能的發(fā)展。本文特別將EV用馬達(dá)和變頻器的功率測(cè)量為例,通過日置電機(jī)針對(duì)支持高效控制系統(tǒng)的研發(fā)而開發(fā)的“功率分析儀3390”,來介紹近期功...
2009-10-26
HIOKI 功率分析儀 3390
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2010中國(guó)(深圳)消費(fèi)電子展(CCEF)
2010中國(guó)(深圳)消費(fèi)電子展(CCEF)
2009-10-23
2010中國(guó)(深圳)消費(fèi)電子展(CCEF)
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電路板維修的注意事項(xiàng)
在無任何電路原理圖的情況下,要對(duì)一塊陌生的且較復(fù)雜的故障電路板進(jìn)行維修,以往的所謂“檢修經(jīng)驗(yàn)”就難以應(yīng)付了.盡管電子技術(shù)的硬件功底深厚的維修人員,并對(duì)維修工作充滿了信心.但如果方法不當(dāng),工作起來照樣事倍功半.那么,怎樣做才能更好地提高維修效率呢? 這就是下面要討論的幾個(gè)原則,供同行參...
2009-10-23
PCB 電路板維修 檢修經(jīng)驗(yàn)
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B3293*系列:Epcos推出MKT薄膜電容器
愛普科斯(Epcos)目前已經(jīng)研制出系列MKT(金屬化聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯)薄膜電容器,其特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)牢固,電容值漂移極低。在85℃、空氣相對(duì)濕度在85%和電源|穩(wěn)壓器為240VAC的環(huán)境下經(jīng)受1000小時(shí)的測(cè)試后,其最大電容變化仍低于10%。
2009-10-23
愛普科斯 薄膜電容器 MKT
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FT3432:日置HIOKI推出普通噪音計(jì)
9月30日,HIOKI向海外市場(chǎng)首發(fā)普通噪音計(jì)FT3432。適用于工廠、學(xué)校、機(jī)械等各種噪音測(cè)量,用于以營(yíng)造良好環(huán)境為目標(biāo)的噪音管理之中。
2009-10-23
FT3432 HIOKI 噪音計(jì)
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