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測(cè)試測(cè)量

國家將收緊多晶硅項(xiàng)目再融資

國家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)司司長陳斌10月15日表示，為了引導(dǎo)多晶硅產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展，避免產(chǎn)業(yè)過度競爭，促進(jìn)節(jié)能減排，國家將多晶硅產(chǎn)業(yè)列為產(chǎn)能過剩的行業(yè)，將控制多晶硅項(xiàng)目的再融資。而最近，中國證監(jiān)會(huì)也向國家發(fā)改委移交了部分關(guān)于企業(yè)融資的審查權(quán)，以控制多晶硅等企業(yè)的再融資

2009-10-27

國家發(fā)改委多晶硅再融資

振興規(guī)劃作用，推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)走出低谷

伴隨著“家電下鄉(xiāng)”，“汽車下鄉(xiāng)”、調(diào)整出口退稅稅率等政策相繼實(shí)施，振興規(guī)劃對(duì)電子信息產(chǎn)業(yè)的提振效應(yīng)開始顯現(xiàn)。賽迪顧問研究數(shù)據(jù)顯示，從2009年4月起，電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行開始出現(xiàn)企穩(wěn)跡象，主營收入降幅趨緩，并逐漸開始走出低谷。

2009-10-27

電子信息通信元器件

揚(yáng)智科技攜M7108系列在深圳成立中國大陸區(qū)總部

揚(yáng)智科技于深圳成立中國大陸區(qū)總部，力拓全新多媒體生活，深耕中國大陸市場(chǎng)，豐富消費(fèi)電子應(yīng)用。

2009-10-26

IC 揚(yáng)智科技機(jī)頂盒 M7108系列

電源變換器中電流/電壓模式相互轉(zhuǎn)化分析

本文先簡單的介紹了電流模式和電壓模式的工作原理和這兩種工作模式它們各自的優(yōu)缺點(diǎn)；然后探討了理想的電壓模式利用輸出電容ESR取樣加入平均電流模式和通過輸入電壓前饋加入電流模式的工作過程。也討論了電流模式在輸出輕載或無負(fù)載時(shí)，在使用大的電感或在占比大于0.5加入斜坡補(bǔ)償后，系統(tǒng)會(huì)從電流...

2009-10-26

變換器電流/電壓模式轉(zhuǎn)化

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中，功率MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在跨越恒流區(qū)時(shí)，功率MOSFET漏極的電流和...

2009-10-26

MOSFET 關(guān)斷區(qū) 恒流區(qū) 可變電阻區(qū)

理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相對(duì)應(yīng)的Qg，Qds和Qgs在開關(guān)過程中對(duì)開關(guān)損耗的影響?；谠诶硐霠顟B(tài)下，用工程簡化方式計(jì)算出MOSFET在開關(guān)過程中不同階段的開關(guān)損耗，并分析出Crss及相對(duì)應(yīng)的Qgd對(duì)于MOSFET管的開關(guān)損耗起主導(dǎo)作用。然后，論述了在實(shí)際狀態(tài)下，Coss對(duì)開通和關(guān)斷過程...

2009-10-26

米勒電容開關(guān)損耗零電壓開關(guān)

基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)電路

功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中，MOSFET產(chǎn)生一定...

2009-10-26

MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路

帶有內(nèi)置ESD保護(hù)的MOSFET

CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強(qiáng)模式MOSFET，帶有內(nèi)置的2kV ESD保護(hù)。它帶有兩個(gè)獨(dú)立的50V，280mA的MOSFET，在每個(gè)器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)在50mA，1.8V時(shí)是3.0歐姆

2009-10-26

CMLDM7003 MOSFET ESD保護(hù)

3390:HIOKI最新功率分析儀

從地球環(huán)境保護(hù)的角度來看的話，和功率測(cè)量相關(guān)的需求及期待越來越大。太陽能發(fā)電和電動(dòng)車（EV）的推廣、以及智慧型電網(wǎng)的構(gòu)想等措施都將促進(jìn)功率計(jì)的性能和功能的發(fā)展。本文特別將EV用馬達(dá)和變頻器的功率測(cè)量為例，通過日置電機(jī)針對(duì)支持高效控制系統(tǒng)的研發(fā)而開發(fā)的“功率分析儀3390”，來介紹近期功...

2009-10-26

HIOKI 功率分析儀 3390

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基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

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帶有內(nèi)置ESD保護(hù)的MOSFET

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