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突破傳統的IGBT系統電路保護設計
目前，在使用和設計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大，系統龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統引起的各種失效問題。 本文將突破傳統的保護方式，探討IGBT系統電路保護設計的解決方案。
2013-03-25
IGBT 電路設計 電路保護
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TSPD與PPTC在雷電防護電路中的應用
雷電防護器件有很多種，其特性各有不同。本文以TSPD和PPTC為例，對這兩種保護器件的應用特性和注意事項以及防護原理都給出了很詳細的講解，看這兩種器件到底有什么厲害之處。
2013-03-22
雷電防護 PPTC TSPD
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【設計攻略】USB 3.0的電路保護
USB 3.0的高速傳輸已經增加的電流和供電能力意味著需要新的電路保護,本文介紹一了經過改進的電路保護方法，可以幫助保護USB 3.0應用免受過流、過壓及ESD瞬態(tài)電壓帶來的損害。
2013-03-22
USB 3.0 電路保護 設計攻略
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應用在電源管理中的肖特基二極管
很多設計都采用一個轉換器設計（網絡）工具推薦的二極管。這并非總是二極管的最優(yōu)選擇。本文將探討一些在選擇正確的二極管時應仔細考慮的典型參數，以及如何應用這些參數來快速確定選型的正確與否。
2013-03-22
電源管理 肖特基二極管 熱逃逸
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變壓器過電壓抑制介紹
變壓器因雷電過電壓造成的事故還時有發(fā)生，提出將高頻磁環(huán)并聯阻尼電阻后串接在線路的適當位置來抑制變電站變壓器雷電過電壓的方法，通過振蕩回路的試驗和仿真建立了高頻磁環(huán)的EMTP仿真計算模型。
2013-03-22
變壓器 過電壓 抑制
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可將元件損失降低50%的肖特基勢壘二極管
東芝將量產SiC制肖特基勢壘二極管，可將元件損失降低50%以上。新產品可用于服務器電源、光伏發(fā)電用功率調節(jié)器等用途，新產品的反向重復峰值電壓VRRM為650V，平均正向電流IFM為12A，正向電壓VF為1.7V，反向重復峰值電流IRRM為90μA。
2013-03-22
肖特基勢壘二極管 損耗 量產
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2013中韓LED照明產業(yè)高峰論壇在蓉勝利閉幕
日前，“2013中韓LED產業(yè)高峰論壇”在成都世紀城新國際會展中心4-5會議室圓滿落幕，中韓專家悉數到場做了精彩報告，論壇吸引了超過3000人次的關注，大批LED行業(yè)專業(yè)人士和企業(yè)代表出席并參加了論壇。
2013-03-21
2013中韓LED產業(yè)高峰論壇,LED行業(yè)
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怎樣計算晶振的負載電容
各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點式振蕩器。晶振引腳的內部通常是一個反相器，或者是奇數個反相器串聯。在晶振輸出引腳XO和晶振輸入引腳XI之間用一個電阻連接。
2013-03-21
計算 晶振 負載電容
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新開發(fā)的片狀多層陶瓷電容器
京瓷開發(fā)出全球首創(chuàng)的片狀多層陶瓷電容器，主要用于工業(yè)設備，具有較小的尺寸和耐高壓及高靜電容量性能。新產品(CM316X7S475M100V)采用京瓷多年積累的材料技術對介質材料進行改善。
2013-03-20
片狀多層陶瓷電容器 耐高壓 高靜電容量
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