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集成理想二極管、源選擇器和eFuse有助于增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性
理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開關(guān)(通常為MOSFET)來模擬二極管的單向電流行為,但沒有二極管的壓降損失。借助額外的背靠背MOSFET和控制電路,該解決方案可以提供更多的系統(tǒng)控制功能,例如優(yōu)先源選擇、限流、浪涌限制等。在傳統(tǒng)解決方案中,這些功能分散在不同的控制器中,因此實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)保護(hù)...
2023-12-18
理想二極管 源選擇器 eFuse 魯棒性
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意法半導(dǎo)體:邊緣AI開發(fā)的挑戰(zhàn)及ST的解決方案
今天,人工智能(AI)被廣泛應(yīng)用,幾乎無所不在,AI有助于汽車、工業(yè)、個人電子等產(chǎn)品設(shè)備實(shí)現(xiàn)數(shù)字化和智能化,改變我們的日常生活和工作方式。在很多應(yīng)用領(lǐng)域,尤其是工業(yè)應(yīng)用,AI 將是一個“攪局者”,將會改變現(xiàn)有的游戲規(guī)則。
2023-12-15
意法半導(dǎo)體 邊緣AI
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瑞薩推出基于云的開發(fā)環(huán)境以加速車用AI軟件的開發(fā)與評估
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子宣布推出一款基于云的全新開發(fā)環(huán)境,旨在簡化車用AI工程師的軟件設(shè)計(jì)流程。新平臺AI Workbench作為集成虛擬開發(fā)環(huán)境,可幫助車用AI工程師在云端實(shí)現(xiàn)車載軟件的設(shè)計(jì)、模擬和調(diào)試。
2023-12-15
瑞薩 開發(fā)環(huán)境 車用AI
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MOS非理想性對VLSI電路可靠性的影響
在快速 VLSI 電路中,晶體管每秒開關(guān)數(shù)百萬次。在開關(guān)過程中,被稱為“熱載流子”的高能載流子(電子或空穴)很容易注入并捕獲在柵極氧化物中。這種熱載流子注入會導(dǎo)致柵極氧化物中出現(xiàn)雜質(zhì),從而改變器件的 I-V 特性。
2023-12-14
MOS VLSI電路
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試一試能快速實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比的電路保護(hù)的eFuse
隨著電子設(shè)備在家庭、辦公室和工業(yè)中的普及,對高速、緊湊、低成本、可復(fù)位和可調(diào)節(jié)電路保護(hù)器件的需求越來越重要,以確保用戶安全和最長的正常設(shè)備運(yùn)行時(shí)間。傳統(tǒng)熔斷方法的熔斷電流不準(zhǔn)確、響應(yīng)時(shí)間慢,而且通常保險(xiǎn)絲更換不方便。
2023-12-14
電路保護(hù) eFuse
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解決角雷達(dá)系統(tǒng)的 3 大電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在過去十年內(nèi),雷達(dá)傳感技術(shù)開始逐步替代傳統(tǒng)的汽車傳感方式。雷達(dá)傳感技術(shù)具有多項(xiàng)優(yōu)勢,例如可以進(jìn)行遠(yuǎn)距離檢測,具有更高的分辨率和精度。因此,雷達(dá)傳感技術(shù)被廣泛應(yīng)用于駕駛安全功能、自動駕駛和高級駕駛輔助系統(tǒng)。
2023-12-13
角雷達(dá)系統(tǒng)
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超聲技術(shù)在醫(yī)療領(lǐng)域的發(fā)展趨勢和應(yīng)用
超聲波(Ultrasound)是指頻率高于兩萬赫茲的聲波,在工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域均有具體應(yīng)用。隨著醫(yī)療技術(shù)的進(jìn)步和設(shè)備的不斷更新,超聲已經(jīng)成為醫(yī)學(xué)領(lǐng)域不可或缺的應(yīng)用技術(shù)。醫(yī)學(xué)超聲設(shè)備主要利用超聲波對于人體不同部位反饋產(chǎn)生的信號或能量屬性,對于人體的異常狀態(tài)或疾病進(jìn)行診斷或治療。
2023-12-13
超聲技術(shù) 醫(yī)療領(lǐng)域
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意法半導(dǎo)體推出車規(guī)人工智能慣性測量單元,適合環(huán)境溫度高達(dá)125°C的始終感知應(yīng)用
意法半導(dǎo)體的車規(guī)ASM330LHHXG1慣性測量單元(IMU)整合傳感器內(nèi)部人工智能與改進(jìn)的低功耗工作模式,并將最高工作溫度擴(kuò)展到125°C,確保傳感器能夠在惡劣環(huán)境中可靠地工作。
2023-12-13
意法半導(dǎo)體 人工智能 慣性測量單元 感知應(yīng)用
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使用SIL 2器件設(shè)計(jì)功能安全的SIL 3模擬輸出模塊
需要安全完整性等級(SIL) 3解決方案的制造商,在使用SIL 2器件時(shí)面臨著多項(xiàng)挑戰(zhàn)。隨著工業(yè)功能安全標(biāo)準(zhǔn)IEC 61508第3版的發(fā)布,制造商必須采用新的方法。本文概述了一種能夠克服挑戰(zhàn)以成功實(shí)現(xiàn)SIL 3并加速產(chǎn)品上市的解決方案。
2023-12-12
SIL 2 器件設(shè)計(jì) SIL 3 ADI 模擬輸出模塊
- 薄膜電容使用指南:從安裝到維護(hù)的七大關(guān)鍵注意事項(xiàng)
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