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賽靈思印度研發(fā)及技術(shù)支持中心擴大一倍
全球可編程平臺的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)賽靈思公司（Xilinx, Inc.; NASDAQ: XLNX），日前在印度為新落成的賽靈思印度研發(fā)及技術(shù)支持中心辦公大樓（位于海德拉巴高科技城），舉行了隆重的落成典禮。此舉強化了賽靈思對于印度這一新興的高增長市場以及不斷壯大的印度員工的承諾。新的辦公大樓占地約12,000多平方米...
2012-03-28
賽靈思 印度研發(fā)
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基于 ZETA 拓撲結(jié)構(gòu)的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計
同 SEPIC DC/DC 轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)類似，ZETA 轉(zhuǎn)換器拓撲通過一個在輸出電壓上下范圍變化的輸入電壓提供正輸出電壓。ZETA 轉(zhuǎn)換器也需要兩個電感和一個串聯(lián)電容器（有時稱飛跨電容）。SEPIC 轉(zhuǎn)換器使用一個標準升壓轉(zhuǎn)換器進行配置，ZETA 轉(zhuǎn)換器則不同，它通過一個驅(qū)動高端 PMOS FET 的降壓轉(zhuǎn)換器進行配...
2012-03-28
ZETA 拓撲結(jié)構(gòu) DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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未來五年全球半導(dǎo)體設(shè)制造設(shè)備支出預(yù)測
國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner副總裁KlausRinnen表示：「受2011年下半年半導(dǎo)體制造市場疲軟影響之下，使半導(dǎo)體制造業(yè)撤消擴展計畫。如此的保守投資將持續(xù)到2012年上半年，預(yù)期下半年將可望改善。我們所提出的假設(shè)系基于主要半導(dǎo)體制造廠所公布的侵略性支出計畫。Gartner亦預(yù)期2012下半年到2013年部分產(chǎn)...
2012-03-27
半導(dǎo)體 集成電路 晶圓
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2012光電/感測器/分離元件營收將創(chuàng)新高
市調(diào)機構(gòu)IC Insights指出，過去一年來，市場對MEMS 感測器、光纖雷射發(fā)射器、 CMOS 影像感測器、發(fā)光二極體(LED)，以及功率電晶體的需求強勁，使得光電、感測器/致動器和分離式半導(dǎo)體等市場展現(xiàn)出稍高于8%平均成長率，同時，這三個領(lǐng)域也在過去一年來大部份半導(dǎo)體產(chǎn)品類別都呈現(xiàn)衰退的同時，寫下了5...
2012-03-27
光電 感測器 分離元件
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如何利用DC/DC轉(zhuǎn)換器提高射頻功放系統(tǒng)效率
從功率預(yù)算的角度而言，直接由電池供電的射頻功率放大器(RF PA)是需要重點考慮的元件。本文講述一種通過DC/DC轉(zhuǎn)換器提供高效RF PA射頻功率放大器系統(tǒng)電源管理的方案。
2012-03-27
蜂窩標準 電源穩(wěn)壓器 DC-DC 射頻功率放大器
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探討LED背光、LED與OLED成像技術(shù)的差別
目前很多廠商在推廣自己產(chǎn)品的時候都偷換了一個概念。明明是LED背光顯示器卻要簡稱為LED顯示器。事實上LED顯示器和目前的LED背光顯示器有著本質(zhì)的區(qū)別。當然容易讓讀者們混淆的還有技術(shù)非常先進的OLED，那么LED，LED背光，OLED三者之間究竟有怎樣的區(qū)別和聯(lián)系呢?筆者將在本文中給大家介紹這三種技術(shù)...
2012-03-27
LED背光 LED OLED 成像
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意法半導(dǎo)體是消費與移動MEMS領(lǐng)域均可爭議的龍頭廠商
據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS市場追蹤報告，2011年10大供應(yīng)商占消費與移動MEMS器件市場總體營業(yè)收入的86%，蘋果公司的主要供應(yīng)商意法半導(dǎo)體在該領(lǐng)域遙遙領(lǐng)先。
2012-03-26
MEMS 消費 移動 意法半導(dǎo)體
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2015年車載顯示器需求可望成長50%
據(jù)NPD DisplaySearch– 平板顯示器于車載的應(yīng)用已經(jīng)越來越盛行，如汽車導(dǎo)航、多功能駕駛儀表盤、以及后座娛樂顯示屏幕等。NPD DisplaySearch預(yù)測應(yīng)用于車載的面板出貨量將有望從2011年的4千2百萬片成長到2015年的6千2百萬片。
2012-03-26
車載顯示器 車載面板
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ROHM半導(dǎo)體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構(gòu)成。
2012-03-26
全SiC ROHM 功率模塊 太陽能
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