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能源電力

TCD0806B-350-2P:TDK-EPC薄膜共模濾波器新增抑制差模噪聲功能

TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC開發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的可同時(shí)實(shí)現(xiàn)抑制高速差分傳輸過程中產(chǎn)生的共模噪聲及GSM頻段的差模噪聲功能的薄膜共模濾波器（TCD0806B-350-2P），并從2011年9月開始量產(chǎn)。

2011-10-12

射頻濾波器熱量放大器

Arcolectric與BioCote公司建立伙伴關(guān)系開發(fā)獨(dú)特的抗菌開關(guān)系列

Arcolectric與BioCote公司建立伙伴關(guān)系開發(fā)獨(dú)特的抗菌開關(guān)系列英國羅姆福德/美國/中國，近日 –Elektron Technology有限公司與BioCote有限公司簽署了一項(xiàng)合作伙伴協(xié)議，以開發(fā)世界第一款抗菌電子器件。

2011-10-12

開發(fā) 抗菌開關(guān) 醫(yī)療

測(cè)量高頻PWM實(shí)時(shí)功率的乘法器電路

對(duì)于電機(jī)或伺服器這些需要精確監(jiān)視或調(diào)節(jié)負(fù)載耗散功率的產(chǎn)品來說，可以通過計(jì)算負(fù)載電壓和電流的乘積來測(cè)量實(shí)際功率。但如果電壓電流為高頻波時(shí)，測(cè)量相應(yīng)的功率并非易事，這就是脈寬調(diào)制(PWM)電機(jī)所面臨的問題。

2011-10-12

工業(yè)光纖高壓變頻器弱電 PWM

對(duì)便攜式音頻設(shè)備的定量分析

便攜式音頻設(shè)備的特殊要求是產(chǎn)品設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，產(chǎn)品A優(yōu)于其競爭產(chǎn)品B，而且使用更理想的原因是什么? 從性能上看，競爭產(chǎn)品之間的頻率響應(yīng)平坦度和THD+N等指標(biāo)相差不大，很難區(qū)分哪一個(gè)產(chǎn)品性能更好。從用戶接口能夠評(píng)判產(chǎn)品的主要差異，但這在很大程度上取決于主觀評(píng)價(jià)。我們可以利用客觀的音頻性能指...

2011-10-12

便攜式音頻設(shè)備放大器噪聲電平

小尺寸集成電路CDM測(cè)試

集成電路(IC)的靜電放電(ESD)強(qiáng)固性可藉多種測(cè)試來區(qū)分。最普遍的測(cè)試類型是人體模型(HBM)和充電器件模型(CDM)。這兩種ESD測(cè)試類型旨在揭示包含基本ESD控制的制造環(huán)境下，電路在ESD應(yīng)力下的存續(xù)情況如何。HBM是應(yīng)用最久的ESD測(cè)試，但工廠ESD控制專家普遍認(rèn)為，在現(xiàn)代高度自動(dòng)化的組裝運(yùn)營中，CDM是...

2011-10-12

CDM測(cè)試 IC HBM 集成電路

Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲《今日電子》Top10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評(píng)為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。

2011-10-11

SiR662DP Vishay 功率MOSFET 電源產(chǎn)品

開關(guān)電源的干擾分析及其抑制措施

開關(guān)電源本身產(chǎn)生的干擾直接危害著電子設(shè)備的正常工作抑制開關(guān)電源本身的電磁噪聲．是開發(fā)和設(shè)計(jì)開關(guān)電源的一個(gè)重要課題。簡要地對(duì)開關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生、傳播的機(jī)理進(jìn)行了介紹，總結(jié)了幾種主要的抑制開關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生及傳播的方法。

2011-10-11

開關(guān)電源干擾抑制

三相IGBT全橋隔離驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)

本文針對(duì)10 kW三相IGBT全橋變換器設(shè)計(jì)了一種隔離驅(qū)動(dòng)電源，提供4路相互隔離的輸出，每路輸出均提供+15 V／-9 V電源。電源功率較小，考慮成本和效率，采用單端反激式結(jié)構(gòu)。

2011-10-11

IGBT 全橋隔離驅(qū)動(dòng)電源隔離驅(qū)動(dòng)電源變換器

高壓功率VDMOSFET的設(shè)計(jì)與研制

隨著現(xiàn)代工藝水平的提高與新技術(shù)的開發(fā)完善，功率VDMOSFET設(shè)計(jì)研制朝著高壓、高頻、大電流方向發(fā)展，成為目前新型電力電子器件研究的重點(diǎn)。本文設(shè)計(jì)了漏源擊穿電壓為500 V，通態(tài)電流為8 A，導(dǎo)通電阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通過工藝仿真軟件TSUPREM-4和器件仿真軟件MEDICI進(jìn)行聯(lián)合優(yōu)化仿...

2011-10-11

VDMOSFET 高壓功率MOS管 MOSFET