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技術(shù)文章

低壓差穩(wěn)壓器LDO的基本原理與主要參數(shù)

取樣電壓加在比較器A的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓Uref相比較，兩者的差值經(jīng)放大器A放大后，控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降，從而穩(wěn)定輸出電壓。

2021-11-29

低壓差穩(wěn)壓器LDO

穩(wěn)壓管的4種應(yīng)用電路

穩(wěn)壓二極管(又叫齊納二極管)它的電路符號(hào)是：此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。

2021-11-29

穩(wěn)壓管應(yīng)用電路

連接SPI接口器件 - 第二部分

單個(gè)時(shí)鐘域SPI實(shí)現(xiàn)的思路與兩個(gè)時(shí)鐘域非常相似。這里為了便于演示沒有使用PLL。同時(shí)，也不需要sync_stage模塊。由于是單個(gè)時(shí)鐘，需要clock_generator來生成dac_sck所需的時(shí)鐘下降沿條件，dac_sck則用作狀態(tài)機(jī)dac_fsm的觸發(fā)條件。

2021-11-29

SPI接口器件

連接SPI接口器件 - 第一部分

LEC2 Workbench系列技術(shù)博文主要關(guān)注萊迪思產(chǎn)品的應(yīng)用開發(fā)問題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設(shè)計(jì)專家撰寫。LEC2是專門針對(duì)萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓(xùn)服務(wù)供應(yīng)商。

2021-11-29

SPI接口器件

MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素

許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時(shí)，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時(shí)，因素Rch的比例較高。

2021-11-29

MOSFET RDS

移動(dòng)設(shè)備的 ESD 設(shè)計(jì)戰(zhàn)略：您的 SEED 工具

我們?cè)诘?1 部分介紹了 ESD 的基本概念以及系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計(jì) (SEED)。本博客將為您介紹 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分將介紹如何將 SEED 方法及建模和模擬一起用于優(yōu)化系統(tǒng)級(jí)手機(jī)設(shè)計(jì)。

2021-11-29

移動(dòng)設(shè)備 ESD 設(shè)計(jì)戰(zhàn)略

做好準(zhǔn)備：關(guān)于 ESD 和 RF 設(shè)備您需要了解什么

靜電放電 (ESD) 現(xiàn)象從一開始就存在。我們第一次接觸 ESD 往往是在孩童時(shí)代，在干燥的冬日觸碰金屬門把手時(shí)，會(huì)有種觸電的感覺——這就是靜電放電。這種短暫的不適感通常對(duì)人類來說不是問題，但是即使是少量的 ESD 也有可能會(huì)損毀敏感電路。

2021-11-29

ESD RF設(shè)備