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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐,現(xiàn)以TO247-4L(采用開爾文連接)封裝提供,而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能,...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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適合工業(yè)應(yīng)用的魯棒SPI/I2C通信
對于控制器和外設(shè)之間的短距離電路板內(nèi)連接,串行外設(shè)接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實上的通信標(biāo)準(zhǔn)。由于存在廣泛的硬件和軟件支持,SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當(dāng)控制器和外設(shè)位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠(yuǎn)(不大于1米)時...
2022-06-14
工業(yè)應(yīng)用 SPI ADI
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新推出的同步SAR模數(shù)轉(zhuǎn)換器的片內(nèi)校準(zhǔn)優(yōu)勢
本文評估在電阻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)前面的外部電阻的影響。這些系列的同步采樣ADC包括一個高輸入阻抗電阻可編程增益放大器(PGA),用于驅(qū)動ADC和縮放輸入信號,允許直接連接傳感器。但是,有幾個原因?qū)е略谠O(shè)計期間,我們最終會在模擬輸入前面增加外部電阻。以下部分從理論上解釋預(yù)期的增益誤差,該誤差...
2022-06-14
SAR 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 ADI
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手機(jī)無線充電器壞了
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機(jī)無線充電器進(jìn)行拆卸,觀察其內(nèi)部電路工藝設(shè)計。但是由于電路上主要芯片型號文字顯示不清,故此對于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機(jī) 無線充電器
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路,對于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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“創(chuàng)新強(qiáng)鏈,雙驅(qū)發(fā)展”2022年中國(深圳)集成電路峰會
由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組共同舉辦的以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈,雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022 中國(深圳)集成電路峰會”(以下簡稱:ICS2022 峰會),將于2022年6月30日至7月1日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉行。
2022-06-13
中國(深圳)集成電路峰會
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功率半導(dǎo)體冷知識:功率器件的功率密度
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力,實現(xiàn)方法是:
2022-06-13
功率器件 功率密度
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