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技術(shù)文章

ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)

本文主要介紹了一種研究電流和時域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。

2008-10-23

ESD測試工具 TLP

高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題

本文分析了高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題，包括：隔離開關(guān)開合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開關(guān)開合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開關(guān)的短路持續(xù)時間和隔離開關(guān)的過載能力、接地開關(guān)的長期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進行海拔修正的問題。

2008-10-23

隔離開關(guān) 接地開關(guān) 轉(zhuǎn)換電流隔離電流接觸區(qū)

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

是否所有的ESD保護二極管都有相同的保護效果？

本文針對目前所面臨的找到一種具有成本效益的ESD解決方案的挑戰(zhàn)，分析了ESD方面所需考慮的因素，提出了將電壓箝位到更低水平的最優(yōu)方案，接著并比較幾種保護器件得出安森美的保護器件更具競爭性和優(yōu)越性。

2008-10-23

ESD 保護二極管箝位電壓

過壓保護的備用電路: 技巧和竅門

過壓保護(OVP)器件用于保護后續(xù)電路免受甩負載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過壓保護電路不足以勝任器件保護的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當(dāng)修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時利用輸出電容儲能保持能量。本文討論如何針對這兩種需求修改...

2008-10-23

過壓保護電路 MOSFET

印制電路板上的電磁干擾及抑制

本文主要討論在印制電路板的布線設(shè)計中電源布線和信號布線的電磁干擾問題，并提出解決途徑：抑制電源布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有電源平面法、共地平面法和電源母線法；抑制信號布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有增大信號線之間的距離，減小信號線與地之間的距離；同時，設(shè)計印制電路板還應(yīng)遵循一定的抗干...

2008-10-23

印制電路板電磁干擾抑制