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以工藝窗口建模探索路徑:使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續(xù)的器件微縮導致特征尺寸變小,工藝步驟差異變大,工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測試數(shù)據(jù)不足,評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足,我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估 DRAM 電容器圖形化工藝的工...
2023-11-29
工藝窗口 建模 虛擬制造 DRAM電容器
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如何設計電池充電速度快4倍的安全可穿戴設備
隨著可穿戴設備革新的持續(xù)推進,對穩(wěn)健電源架構(gòu)的需求不斷增加。在過去十年中,我們看到可穿戴健康監(jiān)測設備大幅增長,這些設備的下一代可能會在相同的小尺寸解決方案中集成更多功能。可穿戴設備通常要求支持Wi-Fi、藍牙?并具備生命體征監(jiān)測(VSM)功能。對更多功能的需求,要求系統(tǒng)級和IC級設計人員更...
2023-11-29
電池 充電速度快 可穿戴設備
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航順HK32C030胎心儀MCU方案“解讀”生命律動,穩(wěn)穩(wěn)的!
“胎心監(jiān)護”是孕晚期產(chǎn)檢中必不可少的一個項目,聽著胎寶寶“噗通、噗通”的生命律動,能讓每位準爸爸準媽媽感受到穩(wěn)穩(wěn)的幸福。
2023-11-29
航順 胎心儀 MCU
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如何優(yōu)化SiC柵級驅(qū)動電路?
對于高壓開關(guān)電源應用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件,能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關(guān),同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關(guān)頻率。之前的文章中,我們介紹了SiC MOSFET 特有...
2023-11-29
SiC 柵級驅(qū)動
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振動場合的電源模塊該如何選型?
在不同的應用環(huán)境,該如何進行電源模塊的應用選型?選擇合適電源模塊可以延長模塊的使用壽命,本文主要是介紹在振動場合電源模塊可能出現(xiàn)的一些失效形態(tài)和如何選用可靠的電源模塊。
2023-11-29
振動場合 電源模塊 選型
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機電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法
本文介紹已獲專利的適用于機電接觸應用的1-Wire?接觸封裝解決方案,并對比傳統(tǒng)的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優(yōu)越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議,并作了機械規(guī)格和可靠性分析。
2023-11-29
機電 1-Wire 接觸封裝
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有關(guān)Matter的十個關(guān)鍵問題,你知道正確的答案嗎?
智能家居市場正在快速增長,越來越多的家庭采用聯(lián)網(wǎng)設備來實現(xiàn)家庭自動化。然而,由于這些聯(lián)網(wǎng)設備通常運行在不同的通信協(xié)議上,極大地阻礙了智能家居系統(tǒng)內(nèi)的互聯(lián)互通,市場上幾乎沒有一家公司的產(chǎn)品能滿足所有智能家居市場的需求。 新興的Matter智能家居協(xié)議就是為了解決這一挑戰(zhàn)而創(chuàng)建的。它...
2023-11-28
Matter 智能家居
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