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氣體傳感器選型指南：環(huán)境適應(yīng)性、成本分析與核心IC解決方案
氣體傳感器作為環(huán)境監(jiān)測(cè)的核心部件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)安全、智能家居、汽車(chē)電子、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)傳感器的溫度適應(yīng)性、檢測(cè)精度、成本控制提出差異化需求。本文將深入解析五大主流氣體傳感器（電化學(xué)、半導(dǎo)體、紅外、催化燃燒、PID）在不同環(huán)境下的性能表現(xiàn)，并對(duì)比ADI、TI、Bosch等核心IC廠商的解決方案。
2025-04-16
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意法半導(dǎo)體監(jiān)事會(huì)聲明
意法半導(dǎo)體有限公司 (STMicroelectronics N.V.) 監(jiān)事會(huì)對(duì) 4 月 9 日意大利媒體的報(bào)道作出三點(diǎn)評(píng)論。
2025-04-15
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SiC MOSFET技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心，實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換能效質(zhì)的飛躍
隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長(zhǎng)一方面是為了降低運(yùn)營(yíng)成本，另一方面是為了減少溫室氣體排放，以實(shí)現(xiàn)凈零排放的目標(biāo)。此外，業(yè)界也在不斷追求成本更低、尺寸更小的電源系統(tǒng)。
2025-04-14
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SiC如何讓EA10000電源效率飆升？電源技術(shù)優(yōu)勢(shì)全解剖
為應(yīng)對(duì)氣候變化挑戰(zhàn)，全球能源轉(zhuǎn)型已進(jìn)入技術(shù)攻堅(jiān)階段：非化石能源裝機(jī)占比突破50%的可再生電力系統(tǒng)加速構(gòu)建，交通領(lǐng)域電氣化率以年均12%的增速持續(xù)攀升。這場(chǎng)變革正催生顛覆性的功率需求——電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力電池系統(tǒng)電壓平臺(tái)躍升至900VDC+，能量密度突破95kWh；超充樁單槍輸出功率突破240kW技術(shù)門(mén)檻；氫燃料電池堆更以500kW級(jí)功率模塊和1000A級(jí)質(zhì)子交換膜電堆，重構(gòu)車(chē)載能源系統(tǒng)的功率邊界。
2025-04-14
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權(quán)威認(rèn)證！貿(mào)澤電子斬獲Amphenol SV Microwave全球代理商年度大獎(jiǎng)
全球知名電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子近日再度榮膺Amphenol SV Microwave 2024年度全球代理商殊榮，這已是其連續(xù)第三年斬獲該行業(yè)權(quán)威獎(jiǎng)項(xiàng)。作為射頻(RF)/微波領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)航者，Amphenol SV Microwave的全系列創(chuàng)新產(chǎn)品組合——涵蓋高頻連接器、高性能電纜組件及精密無(wú)源元件——均可通過(guò)貿(mào)澤一站式采購(gòu)平臺(tái)便捷獲取。
2025-04-13
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貿(mào)澤電子發(fā)布工業(yè)4.0線上資源預(yù)測(cè)性維護(hù)解決方案
全球業(yè)界知名電子元器件代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）今日正式推出全新工業(yè)4.0線上資源預(yù)測(cè)性維護(hù)解決方案，標(biāo)志著工業(yè)設(shè)備運(yùn)維正式邁入AI驅(qū)動(dòng)時(shí)代。該平臺(tái)深度融合邊緣計(jì)算與機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)，為制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型提供端到端技術(shù)賦能方案。新網(wǎng)站探討了預(yù)測(cè)性維護(hù)蘊(yùn)藏的機(jī)遇和優(yōu)勢(shì)，為讀者的設(shè)計(jì)之旅提供支持。
2025-04-11
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開(kāi)篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓?fù)浼軜?gòu)，更對(duì)關(guān)鍵電參數(shù)、獨(dú)特性能優(yōu)勢(shì)及設(shè)計(jì)支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實(shí)踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。
2025-04-08
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CITE 2025啟幕在即：頂尖展商集結(jié) 見(jiàn)證巔峰時(shí)刻
科技浪潮奔涌不息，從生成式AI重新定義內(nèi)容創(chuàng)作，到Micro LED顛覆顯示技術(shù)，從量子計(jì)算突破存儲(chǔ)極限，到無(wú)人機(jī)重新定義低空經(jīng)濟(jì)，全球電子信息產(chǎn)業(yè)正以驚人的速度迭代創(chuàng)新。在這場(chǎng)技術(shù)變革的洪流中，如何捕捉趨勢(shì)、鏈接生態(tài)、賦能未來(lái)？2025年4月9日—11日，將在深圳會(huì)展中心（福田）揭曉巔峰時(shí)刻。
2025-04-07
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第18講：SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET需要對(duì)柵極施加負(fù)偏壓，并仔細(xì)設(shè)計(jì)控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運(yùn)行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
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意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，提升氮化鎵功率解決方案的競(jìng)爭(zhēng)力和供應(yīng)鏈韌性。
2025-04-01
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貿(mào)澤電子開(kāi)售Molex的航空航天解決方案
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供應(yīng)Molex先進(jìn)的射頻與EMI元器件。這些元器件設(shè)計(jì)用于改善關(guān)鍵任務(wù)航空航天應(yīng)用的信號(hào)完整性和電磁兼容性。
2025-04-01
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【凝聚創(chuàng)新動(dòng)能?共繪產(chǎn)業(yè)藍(lán)圖】2025?國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC?Shanghai）圓滿閉幕
為期兩天的2025國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC Shanghai）于上海金茂君悅大酒店圓滿閉幕。本屆 IIC構(gòu)建了集技術(shù)交流、商業(yè)合作、戰(zhàn)略對(duì)話于一體的國(guó)際化平臺(tái)，吸引了來(lái)自全球 500 余家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，超 3,000 名專業(yè)觀眾到場(chǎng)，還有逾 10 萬(wàn)線上專業(yè)觀眾同步參與，為中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)突破關(guān)鍵技術(shù)、深化全球布局注入強(qiáng)勁動(dòng)能。
2025-03-31
- 差分振蕩器設(shè)計(jì)的進(jìn)階之路：性能瓶頸突破秘籍
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