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D2TO35：Vishay 新型35W厚膜功率電阻
Vishay宣布推出新型 35W 厚膜功率電阻，該器件采用易于安裝的小型 TO-263 封裝 (D2PAK)，并且具有廣泛的電阻值范圍。
2008-06-25
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TSHG*系列：Vishay 新型高功率850nm紅外發(fā)射器
Vishay推出采用 5mm 帶引線封裝的新一代 850nm 紅外發(fā)射器，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。TSHG5210 與 TSHG6210 具有 ±10°視角，而 TSHG5410 與 TSHG6x10 器件具有±18°視角。它們具有極高的輻射強(qiáng)度以及極低的正向電壓。
2008-06-25
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VLMx32**：Vishay 新型熱增強(qiáng)型功率SMD LED
Vishay宣布推出新系列功率表面貼裝LED，這些器件極大改進(jìn)了散熱與亮度。新型 VLMx32..器件采用帶引線框的 PLCC-4 封裝，可實現(xiàn)比采用 PLCC-2 封裝的 Vishay 高強(qiáng)度 SMD LED 的亮度提高了一倍。對于汽車應(yīng)用，VLMx32**器件已通過 AEC-Q101 汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。
2008-06-20
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導(dǎo)通電阻。
2008-06-18
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列，旨在保護(hù)兩個高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號線不受瞬態(tài)電壓信號干擾。
2008-05-23
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增強(qiáng)型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
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TJ3-HT：Vishay新型環(huán)形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。
2008-05-16
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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VFCD1505：Vishay新型高精度Z箔表面貼裝倒裝芯片分壓器
Vishay宣布推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓器。當(dāng)溫度范圍在0°C 至 +60°C 以及-55°C 至+125°C時，該分壓器分別具有±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR、在額定功率時 ±5ppm的出色PCR跟蹤（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）及±0.005%的負(fù)載壽命穩(wěn)定度。
2008-05-14
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DG系列：Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開關(guān)
日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
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VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED
為滿足日益增長的對AlInGaP技術(shù)的需求，日前，Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED，這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強(qiáng)度和低功耗的特點。
2008-05-09
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