-
關于IGBT導通延遲時間的精確測量方法
在某些對器件時間特性要求較高的工程應用中,需要更精確地確定IGBT的導通延遲時間。因而高精度的測量時間間隔是測量領域一直關注的問題。本文從精簡結構,同時兼顧精度的角度出發(fā),提出一種基于時間測量芯片TDC-GP2來精確測量IGBT導通延遲時間系統(tǒng),用于測量IGBT的導通延遲時間,實現(xiàn)簡單且成本低的一種較為理想的測量方案。
2011-09-06
-
單正向柵驅動IGBT簡化驅動電路
為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產生瞬時集電極電流,設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性,也很難使用高壓集成電路(HVIC)柵驅動器,因為這些IC是專為接地操作而設計──與控制電路相同。因此,研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅動器便最為理想了。這樣的器件已經開發(fā)出來了。器件與負偏置柵驅動IGBT進行性能表現(xiàn)的比較測試,在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結果。
2011-08-29
-
新型節(jié)能設計技術研討會圓滿舉辦 打造西部電子高能效設計技術盛會
由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯(lián)合在成都和西安兩地成功舉辦了第七/八屆新型節(jié)能設計技術研討會成功舉辦。本屆研討會成都站活動于8月23日將在成都明悅大酒店舉辦;8月25日移師西安曲江國際會展中心,與中國(西安)電子展同期舉行。來自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術專家全面介紹了包括超快恢復二極管、薄膜電容、鋁電容、、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內的電子元器件在太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)與通訊等領域中的應用
2011-08-27
-
綠色能源計劃推動中國IGBT市場增長
據(jù)IHS iSuppli公司中國研究服務即將發(fā)表的一份報告,由于綠色能源與能源效率得到更多的重視,以及政府投資支持和嚴格的能源政策,2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場銷售額的復合年度增長率將達13%...
2011-08-15
-
IGBT構成的交流傳動逆變器的設計
隨著半導體器件的發(fā)展,IGBT越來越多的被應用到交流傳動技術中。本文主要分析了IGBT構成的交流傳動逆變器的主電路原理、逆變電路結構及緩沖保護電路結構,并對主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說明,同時提出了一種由M57959構成的IGBT驅動電路的設計。
2011-08-04
-
高能效功率電子技術領域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始,功率電子技術以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展,產生極佳的經濟及社會效益。從美國高能效經濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到,到2030年,受益于采用半導體技術而獲得的更高能效,可以使美國的經濟規(guī)模擴大70%以上,與此同時,使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術領域的領先廠商,安森美半導體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長足的進展。
2011-07-27
-
大功率弧焊逆變電源的IGBT保護技術
本文通過分析IGBT的結構及其安全工作區(qū),解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因,并利用硬件電路結合單片機的控制程序對弧焊逆變電源的IGBT采取相應措施進行保護,從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
-
新應用帶動IGBT革新
前些年消費電子和工業(yè)控制是推動IGBT市場快速發(fā)展的兩架馬車,中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應用的“提攜”下,大功率IGBT迎來了新的春天,而這些應用帶來新的課題,與之相應的是革新的永不止步。
2011-07-11
-
Diodes推出減少 IGBT 開關損耗的40V 閘極驅動器
Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。
2011-07-08
-
IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過案例和實驗,概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
-
IGBT的四大保護措施
在中大功率的開關電源裝置中,IGBT由于其控制驅動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點。本文通過對IGBT損壞機理的分析,根據(jù)其損壞的原因,提供柵極保護、過壓、過流、過熱四大有效的保護措施,以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
-
影響IGBT驅動電路性能參數(shù)的因素分析
在硬開關橋式電路中,功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關重要的作用。驅動電路就是將控制電路輸出的PWM信號進行功率放大,以滿足驅動IGBT的要求,所以,驅動電路設計的是否合理直接關系到IGBT的安全、可靠使用。為了確保驅動電路設計的合理性,使用時必須分析驅動電路中的參數(shù)。
2011-06-29
- OLED顯示器季度榜:華碩登頂,微星躍升,三星承壓
- 2nm量產+先進封裝,臺積電構筑AI算力時代的“絕對護城河”
- HBM4時代臨近,SK海力士被曝將獨占英偉達80%訂單
- 大聯(lián)大Q3凈利首破50億創(chuàng)紀錄,AI驅動2026年增長延續(xù)
- NAND閃存明年Q1繼續(xù)暴漲!存儲芯片全面進入賣方市場
- 安森美將回購授權翻倍至600億美元,承諾以全部自由現(xiàn)金流回饋股東
- 架構變“敏捷”、戰(zhàn)略更“聚焦”,英特爾在重慶談“變”與“守”
- EDA迎來“智能合伙人”:芯和聯(lián)想突破設計瓶頸,AI驅動全流程革新
- 將1%的運氣變?yōu)榇_定性:伴芯科技DVcrew如何攻克芯片驗證“最后一道難題”?
- 匯山海,眾行遠:英特爾攜手聯(lián)想、惠普等生態(tài)伙伴,共譜AI PC新篇章
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall



