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軍工/航天電子應用對鉭電容的挑戰(zhàn)
——Vishay電容器部門高級產品市場總監(jiān)Mosier, Michael L.專訪鉭電容因為可靠性高、壽命長、高容量的特點，在軍工/航天電子系統(tǒng)里有大量應用，同時鉭電容的小型化也滿足了系統(tǒng)小型化的要求。Vishay是鉭電容的主要供應商之一，本屆西部電子論壇上，來自Vishay的鉭電容專家Mosier, Michael L.和黃勇將發(fā)表《高可靠性鉭電容器在軍工/航天市場的應用》的主題演講。
2009-08-21
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Vishay高性能精密無磁薄膜電阻
日前，Vishay宣布，推出新款PNM系列精密無磁薄膜電阻。在-55℃～+125℃的寬溫范圍內，這些器件具有低至±25ppm/℃的標準TCR，經過激光微調后的容差只有±0.1%。
2009-08-20
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SMNH：Vishay新款超高精度Bulk Metal箔四電阻網絡
日前，Vishay宣布，推出具有優(yōu)異的負載壽命、負載壽命比和貯存壽命穩(wěn)定性特性的超高精度Bulk Metal箔四電阻網絡 -- SMNH電阻網絡。
2009-08-20
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內最低導通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
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Si4628DY ：Vishay新款低導通電阻單片MOSFET和肖特基SkyFET產品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出使用該公司最新TrenchFET技術的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET產品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產品中前所未有的最低導通電阻，在10V和4.5V柵極驅動電壓下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。
2009-08-14
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PLT系列：Vishay穩(wěn)定性極高的TCR薄膜電阻
日前，Vishay 宣布，推出新的PLT系列TCR薄膜電阻。在-55℃～+125℃的溫度范圍內，新器件的標準TCR為±5ppm/℃，容差低至±0.02%。
2009-08-11
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MUH1Px：Vishay新系列小尺寸表面貼裝1A整流器具有超快反向恢復時間
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列小尺寸、表面貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓范圍為100V～200V，25ns的超快反向恢復時間可滿足高頻應用的要求。
2009-08-10
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TCxT1300X01：Vishay可靠性最高的光電傳感器
日前，Vishay宣布推出通過AEC-Q101認證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續(xù)式)光電傳感器，可用于汽車市場。今天推出的傳感器是業(yè)內首款達到+145℃的結溫等級、-40℃～+125℃的工作溫度范圍和潮濕敏感度等級1(MSL1)的器件。
2009-08-07
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MSE1Px：Vishay具有高達25kV的ESD小尺寸整流器
日前，Vishay宣布，推出ESD保護高達25kV的系列低尺寸表面貼裝整流器 --- MSE1Px。
2009-08-06
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Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。
2009-08-03
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業(yè)內最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
2009-07-31
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Vishay新款Power Metal Strip電池分流電阻
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip?電池分流電阻 --- WSBS8518，新電阻在8518尺寸封裝內實現了36W功率和低至100μΩ的極低阻值。
2009-07-27
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