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SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內最低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類產品中最佳的，該數值是衡量DC/DC轉換器應用中MOSFET性能的優(yōu)值系數(FOM)。
2011-03-10
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PLT系列：Vishay推出增強型精密低TCR薄膜電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出增強型PLT系列精密低TCR薄膜電阻，將容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的溫度范圍內，這些器件具有低至±5ppm/℃的標準TCR。
2011-03-09
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104 PHL-ST：Vishay推出超長使用壽命的鋁電容器用于醫(yī)療設備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列螺旋式接線柱功率鋁電容器---104 PHL-ST。該款電容器在+105℃下的使用壽命長達5000小時，在+105℃下的額定紋波電流高達34.8A，提供從35mm x 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸。
2011-03-07
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SiA923EDJ：Vishay 推出最低導通電阻雙芯片P溝道器件用于手持設備
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-03-03
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WSMS2908：Vishay推出Power Metal Strip?儀表分流電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip?儀表分流電阻--- WSMS2908，在業(yè)內首次采用可直接焊到PCB板上的傳感引線，無需昂貴的柔性引線。在2908尺寸的封裝內，WSMS2908實現了3W功率和100 μΩ的極低阻值。
2011-02-25
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V系列：Vishay推出可滿足更低電壓需求的紅外接收器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為其TSOP 紅外系列接收器中的10種產品推出新的“V”低壓電源選項，擴充其光電子產品組合，以滿足電池供電的消費產品對更低工作電壓的需求。在低至2V的電源電壓和+5℃～+85℃的溫度范圍內工作時，V系列器件始終能夠保持穩(wěn)定的靈敏度等級。
2011-02-24
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DG408：Vishay推出高可靠性模擬復用器應用于國防領域
日前，長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立IC器件的供應商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出8通道單端模擬復用器高可靠性DG408，擴充其按照MIL-PRF-38535規(guī)范進行篩選的模擬開關和復用器系列。
2011-02-18
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VSLY5850：Vishay發(fā)布具有極高輻射強度的紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出采用拋物線型透鏡實現±3°極窄半強角的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSLY5850，擴充其光電子產品組合?；讵毺氐谋砻姘l(fā)射器芯片技術，VSLY5850在100mA驅動電流下可提供高達600mW/sr的輻射強度、55mW的光功率和10ns的開關時間。
2011-02-14
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Vishay推出精密高功率薄膜貼片電阻用于醫(yī)療成像
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內具有1.0～2.5W的高功率等級。
2011-01-28
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VBUS053CZ-HAF：Vishay推出新款USB-OTG總線端口保護陣列用于HDMI
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低電容和低泄漏電流的新款ESD保護陣列---VBUS053CZ-HAF，能夠保護USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號的影響。在5.5V的工作范圍內，新的VBUS053CZ-HAF可為3條線路提供USB ESD保護，在28V工作范圍內對一條VBUS線路提供保護。
2011-01-26
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SiA427DJ：Vishay 推出P溝道器件最低導通電阻TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET? 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-25
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Vishay推出4款肖特基整流器適用于太陽能
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款提供eSMP表面貼裝和軸向引線封裝選項的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045，擴大其用于太陽能電池旁路應用的TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。
2011-01-21
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