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Vishay新款MLCC的Q值可達(dá)2000以上 適合高頻和微波應(yīng)用
Vishay宣布推出新系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介質(zhì)損耗角，可在高頻商用應(yīng)用中工作。
2012-06-27
MLCC 高Q值 Vishay 高頻
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羅姆超低IR肖特基勢壘二極管降低車載、電源設(shè)備的功耗達(dá)40％
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）近日面向車載、電源設(shè)備，開發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低IR肖特基勢壘二極管“RBxx8系列”。與傳統(tǒng)的車載用整流二極管相比，可降低約40%的功耗，非常有助于電動車（EV）和混合動力車（HEV）等要求更低功耗的電路節(jié)能。
2012-06-27
羅姆 二極管 RBxx8系列
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電裝推出輸出功率密度高達(dá)60kW/L的SiC逆變器
由電裝與豐田汽車及豐田中央研究所的共同研發(fā)，采用SiC功率元件制成的逆變器，其輸出功率密度高達(dá)60kW/L。該試制品通過將功率半導(dǎo)體材料由原來的Si改為SiC，同時功率元件內(nèi)部通過采用自主開發(fā)的構(gòu)造實現(xiàn)了低電阻化，從而降低了電力損耗。
2012-06-26
SiC逆變器 電裝
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為獨立設(shè)備提供更高的安全性和更長的電池使用壽命
電池供電設(shè)備的范圍已從用于工匠的強(qiáng)大手工工具擴(kuò)展到用于房屋監(jiān)督甚至醫(yī)療救助服務(wù)的傳感器。 此類設(shè)備的安全性面臨著巨大的挑戰(zhàn)。為確保安全操作這些獨立設(shè)備，SCHURTER 提供了兩款具有低功耗且高容限的跳閘時間的 SMD 保險絲。
2012-06-25
獨立設(shè)備 安全性 電池
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羅姆新款用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率MOSFET實現(xiàn)FOM降低50%
羅姆面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。FOM與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比降低了50％，實現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和高頻下更低的電力損耗，并采用小型封裝，有助于更加節(jié)省空間。
2012-06-22
DC/DC轉(zhuǎn)換器 功率MOSFET FOM 羅姆
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飛思卡爾推出新的28納米 QorIQ AMP 系列處理器
為了幫助先進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備制造商滿足日益嚴(yán)格的能源、安全和處理要求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司（NYSE：FSL）推出兩款新的QorIQ AMP系列處理器，旨在提供一個理想的性能、功耗和集成組合。
2012-06-21
飛思卡爾 QorIQ AMP
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IR推出采用TO-220 fullpak封裝車用功率MOSFET
IR推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。在N和P通道配置中，該新型55V平面器件可作為標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵極驅(qū)動MOSFET來使用，提供的最大導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 低達(dá)8mΩ。
2012-06-21
MOSFET 無刷直流電機(jī) 平面技術(shù) IR
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英飛凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 開關(guān)損耗大幅降低
英飛凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關(guān)損耗，在不犧牲系統(tǒng)總體效率的情況下，可以支持更高的開關(guān)頻率。設(shè)計人員可在不增加太陽能逆變器體積的情況下，實現(xiàn)更高的輸出功率。
2012-06-21
CoolSiC SiC 碳化硅 直驅(qū) 太陽能逆變器 英飛凌
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怎樣正確合理地選用DC/DC模塊電源
怎樣正確合理地選用DC/DC模塊電源呢，筆者將從DC/DC模塊電源開發(fā)設(shè)計的角度，結(jié)合近年來鼎立信公司模塊電源推廣使用過程中得到的用戶信息反饋，談一談這方面的問題，以供廣大系統(tǒng)設(shè)計人員參考。
2012-06-21
DC/DC 模塊電源
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