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中國(guó)首家高世代全球龍頭液晶面板項(xiàng)目落戶廣州
中國(guó)首家高世代全球龍頭液晶面板項(xiàng)目已落戶廣州開(kāi)發(fā)區(qū)。該項(xiàng)目填補(bǔ)了廣東省在TFT-LCD技術(shù)方面的空白，將成為廣州乃至珠江三角洲產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級(jí)的新典范。
2009-10-15
液晶面板 廣州 LGD 顯示器
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日反壟斷機(jī)構(gòu)重罰三星等5家日韓電子企業(yè)
日本反壟斷機(jī)構(gòu)——日本公正交易委員會(huì)7日以涉嫌違反日本反壟斷法、在電視顯像管銷售方面締結(jié)價(jià)格聯(lián)盟為由，對(duì)日本松下集團(tuán)旗下三家企業(yè)、韓國(guó)三星及LG集團(tuán)旗下各一家企業(yè)處以總額33.21億日元的罰金。
2009-10-15
反壟斷機(jī)構(gòu) 三星 電視顯像管
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圖文詳解電子元件焊接技術(shù)
在電子制作中，元器件的連接處需要焊接。焊接的質(zhì)量對(duì)制作的質(zhì)量影響極大。所以，學(xué)習(xí)電于制作技術(shù)，必須掌握焊接技術(shù)，練好焊接基本功。本文將圖文并茂的詳細(xì)講解電子制作中使用電烙鐵的焊接技術(shù)。
2009-10-14
圖 電子元件 焊接技術(shù) 測(cè)試工作坊 元器件 電烙鐵
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夏普投產(chǎn)全球首條液晶面板十代線
10月9日，《每日經(jīng)濟(jì)新聞》從夏普商貿(mào)(中國(guó))處得到確認(rèn)，夏普位于日本大阪府堺市的十代線工廠已于10月1日投產(chǎn)。這也是全球第一家第十代液晶面板工廠，新工廠月產(chǎn)量設(shè)計(jì)能力為7.2萬(wàn)片面板，但投產(chǎn)初期實(shí)際產(chǎn)量只有3.6萬(wàn)片。
2009-10-13
夏普 液晶面板 十代線
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奇美將率先在臺(tái)灣開(kāi)建8.5G面板工廠
據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣面板大廠奇美總經(jīng)理王志超近日表示，奇美將會(huì)率先在臺(tái)灣建立8.5代面板生產(chǎn)工廠，其赴大陸建廠的計(jì)劃將視臺(tái)灣當(dāng)局的政策而定。
2009-10-13
奇美 面板 工廠
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太陽(yáng)能未來(lái)3年重啟成長(zhǎng)動(dòng)能
2008年全球太陽(yáng)能裝置量約5.6GW。預(yù)估到2010年，全球太陽(yáng)能裝置量約8.5GW，整體亞洲市場(chǎng)由2008年的5%成長(zhǎng)到20%。摩根士丹利亞洲科技產(chǎn)業(yè)研究主管暨董事總經(jīng)理古塔預(yù)測(cè)隨著潛在供給同步成長(zhǎng)，到2013年以前持續(xù)供過(guò)于求。
2009-10-13
摩根士丹利 太陽(yáng)能
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iSuppli中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)今年下滑6.8% 2010年將大幅成長(zhǎng)17.8%
2009 年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)為682億美元，較去年下滑6.8%。相對(duì)于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的萎縮，中國(guó)市場(chǎng)的下滑要小的多。受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，全球電子產(chǎn)品的產(chǎn)值為1.4萬(wàn)億美元較2008年下降了9%。與此同時(shí)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)2009年將下降16.2%到2295億美元。但是在出口增長(zhǎng)和內(nèi)需拉到的雙重作用下，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)在2...
2009-10-12
半導(dǎo)體 iSuppli
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OLED顯示屏銷售 2016年將達(dá)62億美元
市場(chǎng)調(diào)研公司DisplaySearch本周發(fā)布的最新報(bào)告顯示，OLED得益于在手機(jī)中的廣泛應(yīng)用，今年第二季度其全球銷售額創(chuàng)1.92億美元記錄。
2009-10-12
OLED顯示屏 DisplaySearch
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FDFME3N311ZT：飛兆半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)高效率的升壓開(kāi)關(guān)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開(kāi)關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設(shè)計(jì)的效率。
2009-10-12
FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導(dǎo)體
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