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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設(shè)計中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運行的關(guān)鍵。一個設(shè)計不當?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對負載變化和輸入電壓波動的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。
2025-06-25
LTspice 波特圖分析 控制回路仿真 開關(guān)穩(wěn)壓器 電源穩(wěn)定性優(yōu)化 相位裕度 增益帶寬
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EA電池模擬器：重構(gòu)電池研發(fā)全流程的技術(shù)引擎
在新能源產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長的背景下，電池技術(shù)已成為制約電動汽車續(xù)航里程、消費電子產(chǎn)品體驗、可再生能源儲能效率的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)電池研發(fā)模式依賴大量物理原型迭代，不僅面臨周期長、成本高的挑戰(zhàn)，更難以覆蓋極端工況下的性能驗證。EA電池模擬器的出現(xiàn)，通過構(gòu)建電池的數(shù)字孿生模型，為工程師提供...
2025-06-25
EA電池模擬器 電池仿真技術(shù) 雙向直流電源 電池內(nèi)阻測試 電池模擬軟件
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破局電動車續(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅(qū)動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
羅姆 豐田bZ5 電驅(qū)技術(shù) 第四代SiC MOSFET 車規(guī)級碳化硅模塊 電動車牽引逆變器
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羅姆助力英偉達800V HVDC重塑AI數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)
隨著人工智能算力需求爆發(fā)性增長的浪潮下，支撐其運行的底層能源架構(gòu)正經(jīng)歷顛覆性升級。羅姆（ROHM） 以其先進的功率半導(dǎo)體技術(shù)，成為英偉達（NVIDIA） 全新800V高壓直流（HVDC）數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的核心方案提供者。這一合作聚焦于提升兆瓦級AI工廠的能量轉(zhuǎn)換效率與功率密度，為下一代超大規(guī)模計算...
2025-06-23
羅姆 英偉達 800V HVDC NVIDIA 800V 電源方案 AI數(shù)據(jù)中心電源
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攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補償?shù)墓β史旨壷改?/span>
在CCM反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計中，峰值電流模式控制（Peak Current Mode Control）因其優(yōu)異的輸入電壓抑制能力、固有的逐周期限流保護和相對簡化的環(huán)路補償而備受青睞。然而，當占空比超過50%時，系統(tǒng)會出現(xiàn)固有的次諧波振蕩不穩(wěn)定性問題。斜坡補償技術(shù)正是攻克這一難題的核心手段，其設(shè)計策略需隨功率等級...
2025-06-23
CCM反激 斜坡補償 反激轉(zhuǎn)換器 次諧波振蕩 斜坡補償設(shè)計
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高精度低噪聲 or 大功率強驅(qū)動？儀表放大器與功率放大器選型指南
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的精密舞臺上，兩類關(guān)鍵“演員”——儀表放大器（In-Amp）與功率放大器（Power Amp）——扮演著截然不同卻都不可或缺的角色。它們雖共享“放大”之名，但設(shè)計哲學(xué)、核心任務(wù)與應(yīng)用疆域存在本質(zhì)差異。理解這種差異，是工程師為系統(tǒng)挑選“最佳配角”的關(guān)鍵。
2025-06-20
儀表放大器 功率放大器 高精度放大器 功率驅(qū)動電路
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μV級精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號鏈電源噪聲抑制架構(gòu)全解，拒絕LSB丟失！
在精密測量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號鏈的μV級精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當1mV電源紋波可導(dǎo)致12位ADC丟失4個LSB時，電源架構(gòu)選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場。本文從噪聲頻譜與拓撲本質(zhì)出發(fā)，拆解LDO、開關(guān)電源及混合架構(gòu)的噪聲基因...
2025-06-19
電源噪聲 ADC精度 PSRR優(yōu)化 信號鏈噪聲抑制 LDO選型 開關(guān)電源濾波
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南
在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
SiC MOSFET并聯(lián) 高功率設(shè)計 分立器件優(yōu)勢 功率擴展 熱管理設(shè)計 并聯(lián)可靠性
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雙核驅(qū)動新質(zhì)生產(chǎn)力：西部電博會聚焦四川雙萬億電子集群
在數(shù)字經(jīng)濟浪潮中，西部電博會已成為展現(xiàn)雙萬億產(chǎn)業(yè)集群實力的核心舞臺。作為四川首個突破萬億規(guī)模的支柱產(chǎn)業(yè)，電子信息產(chǎn)業(yè)2024年產(chǎn)值達1.8萬億元，構(gòu)建起涵蓋集成電路、新型顯示、智能終端等領(lǐng)域的全鏈條生態(tài)。依托成都、綿陽兩大創(chuàng)新極，四川不僅坐擁英特爾、京東方、華為等全球巨頭，更在柔性顯...
2025-06-18
西部電博會 四川電子信息產(chǎn)業(yè) 成都AMOLED產(chǎn)線 京東方 8.6代AMOLED 雙萬億產(chǎn)業(yè)集群
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- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
