-
三年后我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)全球最牛 將趕超美國(guó)
畢馬威合伙人加利·馬圖薩克表示:“中國(guó)作為終端用戶市場(chǎng),將變得越來越重要?!彼硎?,傳統(tǒng)上中國(guó)是制造業(yè)大國(guó),不是消費(fèi)大國(guó),但他預(yù)計(jì),三年后中國(guó)市場(chǎng)將高出美國(guó)市場(chǎng)近1倍。
2009-11-26
畢馬威 半導(dǎo)體市場(chǎng) 全球最牛 趕超美國(guó)
-
群創(chuàng)、奇美與統(tǒng)寶通過三合一合并方案
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,全球第二大電腦顯示器制造商群創(chuàng)光電上周五傍晚發(fā)布重大消息稱,該公司近日與奇美電子及統(tǒng)寶光電同步召開臨時(shí)董事會(huì),通過三合一合并案。三家公司預(yù)計(jì)明年元月6日召開股東臨時(shí)會(huì)通過合并案,三合一合并基準(zhǔn)日為明年4月30日。
2009-11-26
群創(chuàng) 奇美 統(tǒng)寶 合并方案
-
IMEC開發(fā)的硅納米線太陽(yáng)能電池使轉(zhuǎn)換效率達(dá)30%以上
在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,瞄準(zhǔn)下下代太陽(yáng)能電池的各種構(gòu)想不斷涌現(xiàn)。其中一種設(shè)想是在底板上排列細(xì)線狀的硅(硅納米線)。包括美國(guó)通用電氣(General Electric)在內(nèi),目前世界各地都在進(jìn)行開發(fā)。
2009-11-25
IMEC 太陽(yáng)能電池 硅納米線 EUV曝光
-
FDFMA2P859T:飛兆半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本,幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)經(jīng)理合作,開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T,利用單一封裝解決方案,滿足對(duì)電池充電和功率多工(power-multiple...
2009-11-25
飛兆半導(dǎo)體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET
-
中國(guó)電子報(bào):今年第三季度是半導(dǎo)體業(yè)拐點(diǎn)
近日,企業(yè)第三季度財(cái)報(bào)紛紛出籠,產(chǎn)業(yè)好轉(zhuǎn)趨勢(shì)進(jìn)一步明朗化。但由于企業(yè)上升動(dòng)力不足,產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)“V型”反彈的可能性不大,應(yīng)該會(huì)在振蕩中上升。
2009-11-25
第三季度 半導(dǎo)體業(yè) 拐點(diǎn) 中國(guó)電子報(bào)
-
杜邦太陽(yáng)能薄膜電池板正式投產(chǎn)
近日,杜邦公司的全資子公司――杜邦太陽(yáng)能有限公司在深圳光明新區(qū)宣布其硅基薄膜光電組件生產(chǎn)廠正式啟用。深圳市代市長(zhǎng)王榮和香港特別行政區(qū)財(cái)政司司長(zhǎng)曾俊華分別到場(chǎng)為投產(chǎn)儀式致辭。
2009-11-25
杜邦 太陽(yáng)能 薄膜電池 正式投產(chǎn)
-
Vishay擴(kuò)展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,擴(kuò)大了符合美軍標(biāo)MIL-PRF-55342認(rèn)證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍,推出增強(qiáng)型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強(qiáng)后的器件使高可靠性應(yīng)用能夠用上更低阻值的電阻,在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω,容差為0.1%,10Ω電阻的容差...
2009-11-25
Vishay 擴(kuò)展 可靠性 貼片電阻 范圍
-
中國(guó)在未來三年將成為拉動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)的主要力量
畢馬威會(huì)計(jì)師事務(wù)所(KPMG)一項(xiàng)對(duì)半導(dǎo)體商高層的最新調(diào)查顯示,未來三年中國(guó)將成為該產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)最重要的市場(chǎng),其後是美國(guó)。
2009-11-24
半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
-
泰科推出新型0603器件 擴(kuò)展pOLYSWITCH產(chǎn)品系列
新型PolySwitch femtoSMDC016F器件比其他的表面貼裝器件占板面積都要小,測(cè)量尺寸僅為1.6mm x 0.8mm x 0.5mm,這為設(shè)計(jì)師在空間受限的應(yīng)用中提供了靈活性。該器件的額定工作電壓為9V,可提供一個(gè)0.16A的維持電流,以及一個(gè)40A的最大故障電流和4.2歐姆的最大阻抗。femtoSMDC器件的低功耗和快速動(dòng)作時(shí)...
2009-11-24
泰科 PolySwitch femtoSMDC016F 0603 Tyco
- 從失效案例逆推:獨(dú)石電容壽命計(jì)算與選型避坑指南
- 性能與成本的平衡:獨(dú)石電容原廠品牌深度對(duì)比
- 精密信號(hào)鏈技術(shù)解析:從原理到高精度系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 儀表放大器如何成為精密測(cè)量的幕后英雄?
- 儀表放大器如何驅(qū)動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)終端智能感知?
- 連偶科技攜“中國(guó)IP+AIGC+空間計(jì)算”三大黑科技首秀西部電博會(huì)!
- 優(yōu)化儀表放大器的設(shè)計(jì)提升復(fù)雜電磁環(huán)境中的抗干擾能力
- 雙核驅(qū)動(dòng)新質(zhì)生產(chǎn)力:西部電博會(huì)聚焦四川雙萬億電子集群
- 高結(jié)溫IC設(shè)計(jì)避坑指南:5大核心挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略
- 普通鐵磁材料對(duì)3D打印磁環(huán)EMI抑制性能的影響與優(yōu)化路徑
- 3D打印微型磁環(huán)成本優(yōu)化:多維度降本策略解析
- 雙核異構(gòu)+TSN+NPU三連擊!意法新款STM32MP23x重塑工業(yè)邊緣計(jì)算格局
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall