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技術(shù)觀點：解密準(zhǔn)共振 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計
與返馳式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)湎啾龋瑴?zhǔn)共振設(shè)計不僅能提供高能效，而且生成的電磁干擾 (EMI) 也較低，使得它特別適合噪音敏感的應(yīng)用，例如電視機(jī)或音頻設(shè)備。然而，實施工作變得更加龐大，令工程師感到恐懼，這往往使工程師推遲探索上述這些好處。在這篇文章中，F(xiàn)uture Electronics（波蘭）的技術(shù)經(jīng)理 ...
2012-06-19
準(zhǔn)共振 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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堅固的薄膜電阻在高達(dá)175°C和300MW條件下保持卓越性能
Vishay 的 MCW 0402 AT 芯片電阻在寬負(fù)載范圍內(nèi)保持高穩(wěn)定性。對于在包括高溫或高功耗的惡劣條件下需要準(zhǔn)確的功率測量和高可靠性的應(yīng)用場合，Vishay MCW 0406 AT薄膜芯片電阻提供可信賴的性能 ，而不會損害額定功率或電氣性能。
2012-06-19
薄膜電阻 Vishay MCW 0402 AT
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雙通道理想二極管控制器取代兩個肖特基二極管
凌力爾特推出 0V 至 18V 雙通道理想二極管控制器 ，可取代兩個大功率肖特基二極管，以低損耗實現(xiàn)多個電源 “或”，且對電源電壓的干擾最小。LTC4353 是市場上僅有的雙通道低壓理想二極管控制器，可極大地節(jié)省空間。
2012-06-18
肖特基二極管 二極管控制器 凌力爾特
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羅姆實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達(dá)到50kHz以上的開關(guān)頻率
2012-06-18
SiC-SBD SiC-MOSFET IGBT 羅姆 逆變器
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CT2000變頻器以高防護(hù)性征服紡機(jī)用戶
臺達(dá)VFD-CT2000系列變頻器是臺達(dá)2012年上市新品中最閃耀的明星產(chǎn)品之一，它不僅繼承了VFD-C2000系列變頻器的強(qiáng)大功能，更可謂是高防護(hù)型變頻器中的代表，在高溫、高濕、高粉塵、重污染、瞬間電壓波動等惡劣環(huán)境中表現(xiàn)出非凡的堅固耐用性能。對于粗紗機(jī)、細(xì)紗機(jī)、機(jī)床、陶瓷、玻璃等高污染行業(yè)的用戶...
2012-06-18
CT2000 變頻器
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順絡(luò)推出高飽和電流多層功率電感MPH系列
順絡(luò)開發(fā)出MPH多層功率電感系列。與市面上的競爭產(chǎn)品相比，MPH系列功率電感有著較低的DC&AC阻抗和更高的額定電流。MPH有著超小Rdc和外形，適合用于諸如板上DC-DC轉(zhuǎn)換器等低功率、低成本、高電流的應(yīng)用。
2012-06-15
功率電感 多層功率電感 MPH 順絡(luò)
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Microsemi新款功率MOSFET將RF驅(qū)動器與RF功率MOSFET集于一體
Microsemi宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM) 領(lǐng)域的RF發(fā)生器中使用，例如用于半導(dǎo)體、LCD和太陽能電池制造的等離子生成，以及工作頻率高達(dá)30 MHz 的CO2激光器。
2012-06-15
功率MOSFET RF驅(qū)動器 RF功率MOSFET DRF1400 Microsemi
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預(yù)計2012年中國MCU市場增長乏力
據(jù)IHS iSuppli公司的中國研究服務(wù)，全球宏觀經(jīng)濟(jì)擔(dān)憂與中國政府支出減少，正在給2012年中國微控制器(MCU)市場造成一些麻煩，預(yù)計今年營業(yè)收入將持平于2011年的水平。
2012-06-15
MCU MCU市場 微控制器
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揭秘Murata收購3D MEMS傳感器制造商VTI四大原因
VTI在被Murata收購以后，于近期更名為Murata Electronics Oy，為什么Murata會在整個市場疲軟的情況下收購VIT？反觀VTI，這次收購又將給它帶來什么好處呢？本文將為大家一一揭秘。
2012-06-15
Murata MEMS傳感器 VTI
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