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國家能源太陽能發(fā)電研發(fā)中心在南京落成
近日，國家能源太陽能發(fā)電研發(fā)（實驗）中心在南京建成并投入使用。國家發(fā)改委副主任、國家能源局局長張國寶，副省長徐鳴為中心揭牌。該中心的建成將顯著提升我國太陽能并網(wǎng)發(fā)電技術(shù)的研究水平，為電網(wǎng)大規(guī)模消納太陽能等清潔能源提供技術(shù)支撐。
2010-07-08
太陽能 電網(wǎng) 并網(wǎng) 發(fā)電
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標(biāo)準(zhǔn)化工作全面啟動 汽車電子產(chǎn)業(yè)有望提速
披露，為促進(jìn)我國汽車電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，在工信部的指導(dǎo)和支持下，經(jīng)民政部批準(zhǔn)，中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會汽車電子標(biāo)準(zhǔn)工作委員會 (以下簡稱汽車電子標(biāo)準(zhǔn)委員會)正式成立。近日，該工作委員會成立大會在上海舉辦。
2010-07-08
汽車電子 車載數(shù)碼 標(biāo)準(zhǔn)化
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液晶電視需求優(yōu)TAC薄膜新廠已正式竣工進(jìn)行投產(chǎn)
該座第7工廠位于神戶市，總投資額約180億日圓，除可生產(chǎn)寬度大于2米的TAC薄膜之外，亦將生產(chǎn)可增廣視角的VA-TAC膜(視角擴(kuò)張膜)，總年產(chǎn)量約為5,000萬平方公尺；合并Konica Minolta原有的6座工廠產(chǎn)能(約2.2億平方公尺)計算，則Konica Minolta TAC薄膜年產(chǎn)能將達(dá)2.7億平方公尺。
2010-07-08
液晶電視 TAC薄膜 VA-TAC膜
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IR 推出PQFN封裝和銅夾技術(shù)的中壓功率MOSFET
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源（SMPS）及電機(jī)驅(qū)動開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。
2010-07-08
IR PQFN封裝 銅夾技術(shù) MOSFET
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VISHAY推出0603尺寸的薄膜平坦片狀保險絲
TFU 0603薄膜扁平片狀保險絲采用1.55 mm x 0.85 mm x 0.45 mm片狀尺寸，額定電壓為32V，提供高達(dá)4A的電流以及35A的斷流容量。該保險絲為移動消費電子產(chǎn)品中的dc/dc轉(zhuǎn)換器，電池充電器和低壓電源提供二級過流保護(hù)，器件符合關(guān)于有害物質(zhì)的法律條令的CEFIC-EECA-EICTA清單。器件數(shù)量超過500萬的價格為...
2010-07-08
VISHAY 薄膜平坦片狀 保險絲
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多晶硅價格重拾升勢 生產(chǎn)商擔(dān)憂成本壓力增加
日前，我國部分省市取消針對多晶硅項目的優(yōu)惠電價，導(dǎo)致多晶硅生產(chǎn)成本提升，加上全球光伏產(chǎn)品需求超預(yù)期，國內(nèi)多晶硅尤其是高純多晶硅的供應(yīng)又呈現(xiàn)供不應(yīng)求的苗頭。對此，不少晶硅電池生產(chǎn)商擔(dān)憂多晶硅價格的提升會帶來成本壓力的增加。
2010-07-08
多晶硅 高耗能 光伏
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EMS提供商挑戰(zhàn)ODM在移動PC領(lǐng)域的霸權(quán)
據(jù)iSuppli公司，電子制造服務(wù)(EMS)提供商將挑戰(zhàn)原始設(shè)計制造商(ODM)在移動PC市場中的霸主地位，EMS的出貨量份額預(yù)計在2009-2014年上升一倍以上。
2010-07-08
EMS ODM 移動PC iSuppli
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2010年純晶圓代工產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計增長
由于消費產(chǎn)品需求回升，iSuppli公司把2010年純晶圓代工廠商的營業(yè)收入增長率預(yù)測上調(diào)了2.8個百分點。
2010-07-08
純晶圓代工 營業(yè)收入 增長 iSuppli
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650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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