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低壓電源MOSFET設計
低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉換器和高頻切換電路等應用中至關重要。
2025-02-14
低壓電源 MOSFET
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如何防止掉電狀況下的系統(tǒng)出錯？
嵌入式系統(tǒng)等需要進行大量計算和數(shù)據(jù)處理的應用，通常使用微控制器、微處理器和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等器件來執(zhí)行復雜的計算例程，因為這些器件具有多功能性、高速度和靈活性。然而，這些推薦使用的器件也存在限制和不同的電源要求，如果在系統(tǒng)開發(fā)的早期階段未加考慮，系統(tǒng)的性能和可靠性可能會...
2025-01-17
掉電狀況 系統(tǒng)出錯
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IGBT的并聯(lián)知識點梳理：靜態(tài)變化、動態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。系統(tǒng)設計工程師需要了解這些，...
2025-01-16
IGBT 并聯(lián) 靜態(tài)變化 動態(tài)變化 熱系數(shù)
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用于狀態(tài)監(jiān)測的振動傳感器
機械振動可能由于內(nèi)部或外部因素而發(fā)生。內(nèi)部因素是機器條件所固有的。內(nèi)部因素的例子有磨損、不平衡力和共振。當齒輪、滾柱軸承和傳動皮帶等高強度運動部件磨損時，磨損會產(chǎn)生振動。不平衡力可能是由于機器軸未對準或旋轉軸周圍的重量不平衡造成的。共振是一種可以放大振動的現(xiàn)象。當一個物體的振...
2025-01-13
狀態(tài)監(jiān)測 振動傳感器
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機從1997年開始將DIPIPM產(chǎn)品化，廣泛應用于空調(diào)、洗衣機、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機器人等工業(yè)設備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結構，由功率芯片和具有驅動及保護功能的控制IC芯片組成。通過優(yōu)化功率芯片和控制IC，預先調(diào)整了開關速度等特性。搭載驅動電路、保護電路、...
2025-01-09
SiC DIPIPM
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深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續(xù)發(fā)展新篇章
作為全球最早承諾實現(xiàn)碳中和的半導體企業(yè)之一，意法半導體將可持續(xù)發(fā)展視為釋放企業(yè)競爭力，推動產(chǎn)業(yè)增長的重要手段。通過研發(fā)碳化硅等綠色技術和產(chǎn)品，堅持可持續(xù)發(fā)展的方式，打造為利益相關者創(chuàng)造長遠價值的可持續(xù)企業(yè)，助力全球綠色生產(chǎn)力的蓬勃發(fā)展。
2025-01-09
ST 彭水 可持續(xù)發(fā)展
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原來為硅MOSFET設計的DC－DC控制器能否用來驅動GaNFET?
眾所周知，GaNFET比較難驅動，如果使用原本用于驅動硅(Si) MOSFET的驅動器，可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅動電壓和一些小型保護電路，可以為四開關降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅動。
2025-01-07
硅MOSFET DC－DC控制器 GaNFET
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PNP 晶體管：特性和應用
您可能很清楚，現(xiàn)代電氣工程乃至整個現(xiàn)代世界都與晶體管設備有著千絲萬縷的聯(lián)系。這些組件既充當開關又充當放大器。盡管場效應晶體管目前在電子領域占據(jù)主導地位，但初的晶體管是雙極晶體管，并且很快個雙極結晶體管（BJT）就緊隨其后。
2025-01-07
PNP 晶體管
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柵極驅動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業(yè)占據(jù)主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業(yè)電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產(chǎn)品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
柵極驅動器 SiC MOSFET
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