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氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
氮化鎵 柵極驅(qū)動 RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
SiC MOSFET 短路保護時間
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PCI－Express總線接口的布線規(guī)則
PCIE是一種典型的串行總線，本文是針對PCI-E接口的布線規(guī)則，這些規(guī)則是很多芯片廠商的設(shè)計指導(dǎo)，也是很多老工程師耳熟能詳?shù)慕鹂朴衤伞?/p>
2022-12-21
PCI－Express 總線接口
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LC低通濾波器原理及設(shè)計方法
前面提到過RC濾波器那么自然而然就存在LC濾波器，在汽車的電子控制器中幾乎每個控制器都會用到LC濾波器，特別是在電源輸入的地方可以獲得更好的EMI效果。
2022-12-21
LC低通濾波器
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Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評估數(shù)據(jù)
加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估數(shù)據(jù)。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現(xiàn)場應(yīng)用中失效的器件數(shù)。迄今為止，基于超過850億小時的現(xiàn)場應(yīng)用數(shù)據(jù)，...
2022-12-20
Transphorm 功率管 可靠性評估
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新穎功率電感器設(shè)計，用于緊湊型大電流 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電感器是 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵組件，因為它能夠抑制 AC 紋波電流，從而在輸出中提供平滑的 DC 電流。一代的電子設(shè)備非常緊湊，并且具有越來越先進的功能。它們通常由電池供電，需要高能效，從基本組件開始，例如 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的電感器。
2022-12-19
功率電感器 大電流 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
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使用 SiC JFET 接近完美開關(guān)
碳化硅 (SiC) JFET堅固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導(dǎo)通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術(shù)，實現(xiàn)了價值接近材料的理論極限（圖 1）。這個品質(zhì)因數(shù)直接關(guān)系到開關(guān)的實際性能及其經(jīng)濟性，與競爭技術(shù)相比，每個晶圓的芯片數(shù)量更多，性...
2022-12-16
SiC JFET接近開關(guān)
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性能逆天的這種電容，你見過嗎？
我們都知道，理想狀態(tài)下電容的阻抗是隨頻率的增加而逐漸減小的。但在實際運用中，由于電容器存在等效電感（ESL）以及在電路板上存在一定的安裝電感，當(dāng)頻率上升到一個特定值后電容的阻抗將不再減小，反而是逐漸增加的趨勢變化。這個特定頻率就是電容的自諧振頻率。在諧振頻率之前，電容器呈現(xiàn)容性特...
2022-12-15
電容 電路板 電感
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面向電路的噪聲耦合抑制技術(shù)
任何在示波器上仔細(xì)觀察過低電平信號讀數(shù)的人都會熟悉電子電路中可能出現(xiàn)的噪聲。出現(xiàn)的各種固有的噪聲源在低信號電平下十分明顯。在其他以典型邏輯電平運行的系統(tǒng)中，由于電磁干擾和電路之間的耦合，會產(chǎn)生外在噪聲。這些噪聲源都需要一個特定的電路或策略來降低耦合強度或減少噪聲，或兩者兼而有之。
2022-12-15
電路 噪聲耦合抑制技術(shù)
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