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第11講：三菱電機工業(yè)SiC芯片技術
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發(fā)概要。
2024-12-12
三菱電機 工業(yè) SiC 芯片技術
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用4200A和矩陣開關搭建自動智能的可靠性評估平臺
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導的退化是一個重要的與可靠性相關的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當大多數(shù)載流子到達漏極時，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對。
2024-12-12
矩陣開關 熱載流子
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功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型
有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下的各層溫度如下圖，溫度的紋波是由熱容決定的。
2024-12-11
功率器件 熱設計 熱等效模型
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學子專區(qū)—ADALM2000實驗：調(diào)諧放大器級—第2部分
正如我們在上一組實驗中了解到的，二階LC諧振電路通常用作放大器級中的調(diào)諧元件。如圖1所示，簡單的并聯(lián)LC諧振電路可以產(chǎn)生電壓增益，但需要消耗電流來驅(qū)動阻性負載。緩沖放大器（如射極跟隨器）可以提供所需的電流（或功率）增益來驅(qū)動負載。
2024-12-11
ADALM2000 調(diào)諧放大器
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功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
功率器件 瞬態(tài)熱測量
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功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
功率器件 熱容
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如何利用英飛凌MOTIX embedded power硬件機制標定小電機ECU
英飛凌MOTIX? MCU專為實現(xiàn)一系列電機控制應用的機電電機控制解決方案而設計，在這些應用中，小尺寸封裝和最少數(shù)量的外部組件是必不可少的，包括但不限于：車窗升降器，天窗，雨刮器 ，燃油泵，HVAC風扇，發(fā)動機冷卻風扇，水泵。由于電機量產(chǎn)的參數(shù)的非一致性。需要對這些小電機進行產(chǎn)線級別標定。以...
2024-12-04
英飛凌 MOTIX 小電機ECU
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簡單的無源衰減器
衰減器與放大器相反，因為它們會降低增益，而電阻分壓器電路是典型的衰減器。給定網(wǎng)絡中的衰減量由以下比率確定：輸出/輸入。例如，如果電路的輸入電壓為 1 伏 (1V)，輸出電壓為 1 毫伏 (1mV)，則衰減量為 1mV/1V，等于 0.001 或減少 1,000 分之一。
2024-12-04
無源衰減器
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采用創(chuàng)新型 C29 內(nèi)核的 MCU 如何提升高壓系統(tǒng)的實時性能
實時微控制器 (MCU) 在幫助高壓汽車和能源基礎設施系統(tǒng)滿足電源效率、功率密度和安全設計要求方面發(fā)揮著至關重要的作用。無論是車載充電器 (OBC) 還是不間斷電源 (UPS)，這些設備都必須在惡劣環(huán)境中為時間關鍵型任務提供快速、確定性的性能。
2024-12-03
C29 內(nèi)核 MCU 高壓系統(tǒng)
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