提及薄膜精密晶片電阻,薄膜晶片電阻器(RTR)是用類蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成,一般這類電阻常用的絕緣材料是陶瓷基板。
2019-05-21
晶片電阻 陶瓷基板
射頻功率放大器被廣泛應用于各種無線通信設備中。在通訊基站中,線性功放占其成本比例約占1/3。高效率,低成本的解決功放的線性化問題顯得非常重要。因此高效率高線性的功放一直是功放研究的熱門課題。
2019-05-16
Doherty 功率放大器
對于共模電感很多人都不陌生,但是對它的接法你是否完全理解呢?你的電路上的共模電感是否接對了?首先我們來認識一下共模電感。
2019-05-15
共模電感 開關電源
自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關電源轉換的主流。該技術一直在穩(wěn)步改進,目前我們已經(jīng)擁有了對于毫歐姆RDSON值的低電壓MOSFET。對于較高電壓的器件,它正快速接近一位數(shù)字。實現(xiàn)這些改進的兩個主要MOSFET技術進展是溝槽柵極和電荷平衡結構[1]。
MOSFET 非線性電容
電容決定式是:C=εS/4πkd,定義式是:C=Q/U,還有有一個它的特性隔直通交, 這也是大多數(shù)人對電容的理解吧,雖然知道電容是什么,但是具體起什么作用很少人能清楚。直到工作之后,做了幾個電子研發(fā)的項目,才對電容的作用有了更深一步的了解。
2019-05-14
電容 隔直通交
最近總結一下晶體管的一些基本知識,包含內(nèi)容有晶體管的電流放大原理、輸出特性曲線、主要參數(shù),本文介紹的內(nèi)容,適合新手學習,就類似于筆記記錄。
晶體管 電流放大
雙基極二極管的參數(shù)有多個,主要參數(shù)分壓比、峰點電壓與電流、谷點電壓與電流、調制 極二極管的命各方法電流和耗散功率為例講解。
2019-05-13
雙基極二極管
許多通信系統(tǒng)通過48 V背板供電。此電壓通常會降至較低的中間母線電壓,通常降至12 V、5 V甚至更低,以便為系統(tǒng)內(nèi)的電路板機架供電。但是,這些電路板上的大部分子電路或IC都需要在3.x V到低至0.5 V的電壓范圍內(nèi)工作,且電流從幾十毫安到幾百安培不等。因此,要從這些較高的母線電壓降至子電路或IC所...
2019-05-09
通信設備 制造商 高功率輸出 小尺寸 解決方案
TVS二極管,又稱瞬態(tài)抑制二極管,是普遍使用的一種新型高效電路保護器件,它具有極快的響應時間(亞納秒級)和相當高的浪涌吸收能力。
TVS二極管
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