精品国产丝袜自在线拍国语,亚洲成年看片在线观看,在线不卡高清无码

国产一区二区三区三州86295_视频一区二区国产_国产日韩综合导航_日韩亚洲大尺度高清

互連技術(shù)

優(yōu)化信號鏈的電源系統(tǒng) — 第3部分：RF收發(fā)器

本文重點關(guān)注信號鏈的另一部分——RF收發(fā)器。本文將探討器件對來自各電源軌的噪聲的敏感度，確定哪些器件需要額外的噪聲濾波。本文提供了一種優(yōu)化的電源解決方案，并通過將其SFDR和相位噪聲性能與當(dāng)前PDN（當(dāng)連接到RF收發(fā)器時）進行比較來進一步驗證。

2021-12-07

信號鏈電源系統(tǒng) RF收發(fā)器

第13屆年度DigiWish如愿以償活動和節(jié)日禮物指南如期而至，Digi-Key請您查收！

Digi-Key推出其第 13 屆年度 DigiWish 如愿以償活動和 2021 年節(jié)日禮物指南。節(jié)日將近，Digi-Key 正在幫助 24 位幸運的獲獎?wù)弑M早將項目從他們的愿望清單中劃掉，這些贈品將在全球范激發(fā)許多新的創(chuàng)新，這是本司激勵和支持工程師并實現(xiàn)全球創(chuàng)新的持續(xù)使命的一部分。

2021-12-03

Digi-Key DigiWish 節(jié)日禮物指南

2022第十二屆亞太國際電源產(chǎn)品及技術(shù)展覽會

十三五期間，中國電源產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢良好，2016年中國電源市場規(guī)模首次突破2000億大關(guān)，達(dá)2056億元，同比增長6.9%，2018年，中國電源市場的規(guī)模達(dá)到2459億元，同比增長5.95%，并預(yù)計到2023年，其市場規(guī)模將增至4221億元。隨著LED照明、分布式光伏、風(fēng)能、充電樁、云計算、大數(shù)據(jù)、智慧城市的興起與繁...

2021-12-02

亞太國際電源產(chǎn)品技術(shù)展覽會風(fēng)能充電樁云計算

GDDR6給FPGA帶來的大帶寬存儲優(yōu)勢以及性能測試

隨著互聯(lián)網(wǎng)時代的到來，人類所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)發(fā)生了前所未有的、爆炸性的增長。IDC預(yù)測，全球數(shù)據(jù)總量將從2019年的45ZB增長到2025年的175ZB[1]。同時，全球數(shù)據(jù)中近30%將需要實時處理，因而帶來了對FPGA等硬件數(shù)據(jù)處理加速器的需求。如圖1所示。

2021-12-02

GDDR6 FPGA 存儲優(yōu)勢

I2C通信協(xié)議：了解I2C Primer、 PMBus和SMBus

I2C，即Inter-Integrated Circuit，是一種常用的串行通信協(xié)議，用于在器件之間——特別是兩個或兩個以上不同電路之間建立通信。I2C Primer是最常用的I2C。本文將介紹I2C Primer的基本特性和標(biāo)準(zhǔn)，并重點說明在通信實現(xiàn)過程中如何正確使用該協(xié)議。從I2C的基本原理出發(fā)，我們將介紹其變體子集——系統(tǒng)管理...

2021-12-02

wenwei

貿(mào)澤電子攜手Bourns推出全新電子書探討浪涌保護技術(shù)的設(shè)計挑戰(zhàn)

專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子宣布與知名電子元器件制造商和供應(yīng)商Bourns聯(lián)手推出全新電子書《How to Choose the Right Surge Protection Technology》（如何選擇合適的浪涌保護技術(shù)）。在該書中，Bourns和其他知名公司的行業(yè)專家就一些常見問題提供了見解，包括涵蓋浪涌保...

2021-11-30

貿(mào)澤電子 Bourns 浪涌保護技術(shù)

低壓差穩(wěn)壓器LDO的基本原理與主要參數(shù)

取樣電壓加在比較器A的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓Uref相比較，兩者的差值經(jīng)放大器A放大后，控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降，從而穩(wěn)定輸出電壓。

2021-11-29

低壓差穩(wěn)壓器LDO

MOSFET性能改進：RDS(ON)的決定因素

許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時，因素Rch的比例較高。

2021-11-29

MOSFET RDS