光耦的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V（BR）CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE（sat）。此外，在傳輸數(shù)字信號時還需考慮上升時間、下降時間、延遲時間和存儲時間等參數(shù)。
2019-08-28
光耦傳輸比 開關(guān)電源
人體由于自身的動作以及與其它物體的接觸、分離。摩擦或感應(yīng)等因素，可以帶上幾千伏甚至上萬伏的靜電。在干燥的季節(jié)，人們在黑暗中托化纖衣服時，常常會聽到“啪啪”的聲音，同時還會看到火花，這就是人體的靜電放電現(xiàn)象。在工業(yè)生產(chǎn)中，人是主要的靜電干擾源之一。
2019-08-27
靜電放電 防護設(shè)計 指南
本文旨在工程描述一些電磁場求解器基本概念和市場主流PCB仿真EDA軟件，更為深入的學(xué)習(xí)可以參考計算電磁學(xué)相關(guān)資料。
PCB 電磁場 求解方法 仿真軟件
對于絕大多數(shù)電子元器件而言，它們都是有極性或者說管腳是不能焊錯的。比如電解電容，一旦焊反，通電時就會發(fā)生爆炸。一般而言采用自動化給料機械進行線路板元件組裝時，不會出現(xiàn)放錯元器件的問題。但是由于生產(chǎn)廠家條件限制和元器件本身特點，也并不是所有元器件都可以自動貼裝或插裝的。
電子元器件 線路板 引腳順序
剛?cè)隕MC坑的很多小伙伴，在面對EMC問題，很多時候應(yīng)該都會覺的無從下手，或者毫無頭緒。至此，為何不反過來從測試得出的數(shù)據(jù)進行推測分析，下面就列舉幾個常見的EMI輻射問題分析思路。
2019-08-26
EMI 逆向分析
MOS管是電子制造的基本元件，但面對不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時，該如何抉擇？有沒有省心、省力的遴選方法？下面我們就來看一下老司機是如何做的。
MOS管 選型技巧
色散譜應(yīng)用中的圖像傳感需要超低噪聲和高比特率的線性陣列圖像傳感器，以實現(xiàn)高靈敏度和高速測量。為了降低探測器的暗噪聲并進一步提高測量靈敏度，需要一個熱電冷卻器(TEC)。為達(dá)到這些要求，還需要高性能電子器件來與傳感器接口。
高速測量 高靈敏度 線性圖像傳感器
電源往往是我們在電路設(shè)計過程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。其實，作為一款優(yōu)秀的設(shè)計，電源設(shè)計應(yīng)當(dāng)是很重要的，它很大程度影響了整個系統(tǒng)的性能和成本。
電源設(shè)計 電容應(yīng)用
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。
開關(guān)電源 MOSFET
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